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DHG30I1200HA 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 DHG30I1200HA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DHG30I1200HA 자료 제공

부품번호 DHG30I1200HA 기능
기능 Sonic Fast Recovery Diode
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


DHG30I1200HA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DHG30I1200HA 데이터시트, 핀배열, 회로
DHG 30 I 1200 HA
Sonic Fast Recovery Diode
High Performance Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
Single Diode
Part number
DHG 30 I 1200 HA
3
1
VRRM =
IFAV =
t rr =
1200 V
30 A
200 ns
Backside: cathode
Features / Advantages:
Planar passivated chips
Very low leakage current
Very short recovery time
Improved thermal behaviour
Very low Irm-values
Very soft recovery behaviour
Avalanche voltage rated for reliable
operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Applications:
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies (UPS)
Package:
Housing: TO-247
rIndustry standard outline
rEpoxy meets UL 94V-0
rRoHS compliant
Ratings
Symbol
VRRM
IR
VF
IFAV
VF0
rF
R thJC
T VJ
Ptot
I FSM
I RM
t rr
Definition
Conditions
max. repetitive reverse voltage
reverse current
forward voltage
average forward current
VR = 1200 V
VR = 1200 V
IF = 30 A
IF = 60 A
IF = 30 A
IF = 60 A
rectangular
d = 0.5
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
thermal resistance junction to case
virtual junction temperature
total power dissipation
max. forward surge current
max. reverse recovery current
reverse recovery time
t = 10 ms (50 Hz), sine
IF = 30 A; VR = 600 V
-diF/dt = 600 A/µs
CJ junction capacitance
VR = 600 V; f = 1 MHz
TVJ = 25 °C
TVJ = 25°C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
TC = 90°C
TVJ = 150 °C
TC = 25°C
TVJ = 45°C
TVJ = 25 °C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25 °C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25°C
min. typ. max.
1200
50
0.5
1.95 2.26
3.00
1.95 2.27
3.20
30
1.25
30
0.70
-55 150
180
200
23
30
200
350
11
Unit
V
µA
mA
V
V
V
V
A
V
m
K/W
°C
W
A
A
A
ns
ns
pF
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110510a
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DHG30I1200HA pdf, 반도체, 판매, 대치품
60
50
40
IF
30
[A]
20
10
TVJ = 125°C
TVJ = 25°C
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VF [V]
Fig. 1 Typ. Forward current versus VF
3.0
70
60
50
IRR 40
[A] 30
TVJ = 125°C
VR = 600 V
60 A
30 A
15 A
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
diF /dt [A/µs]
Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt
2.0
TVJ = 125°C
VR = 600 V
1.6
Erec 1.2
[mJ]
0.8
60 A
30 A
15 A
0.4
0.0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
diF /dt [A/µs]
Fig. 5 Typ. recovery energy Erec versus di/dt
DHG 30 I 1200 HA
7
6
5
Qrr
4
[µC]
3
2
TVJ = 125°C
VR = 600 V
60 A
30 A
15 A
1
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
diF /dt [A/µs]
Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt
700
600 TVJ = 125°C
VR = 600 V
500
trr 400
[ns] 300
200
100
60 A
30 A
15 A
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
diF /dt [A/µs]
Fig. 4 Typ. recovery time trr versus di/dt
1
ZthJC
[K/W
Ri
0.158
0.118
0.155
0.269
ti
0.0005
0.004
0.02
0.15
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
tP [s]
Fig. 6 Transient thermal impedance
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