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부품번호 | 2N2904AL 기능 |
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기능 | PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | ||
제조업체 | Microsemi Corporation | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
TECHNICAL DATA
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/290
Devices
2N2904
2N2904A
2N2904AL
2N2905
2N2905A
2N2905AL
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ TA = +250C (1)
@ TC = +250C (2)
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PT
Operating & Storage Junction Temp. Range
THERMAL CHARACTERISTICS
TJ, Tstg
Characteristics
Symbol
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 3.43 W/0C for TA > +250C
2) Derate linearly 17.2 W/0C for TC > +250C
RθJC
2N2904 2N2904A, L
2N2905 2N2905A, L
40 60
60
5.0
600
0.6
3.0
-65 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
W
0C
Max.
0.29
Unit
0C/mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 10 mAdc
2N2904, 2N2905
2N2904A, L, 2N2905A, L
V(BR)CEO
Collector-Emitter Cutoff Voltage
VCE = 40 Vdc
2N2904, 2N2905
ICES
VCE = 60 Vdc
2N2904A, L, 2N2905A, L
Collector-Base Cutoff Current
VCB = 50 Vdc
2N2904, 2N2905
2N2904A, L, 2N2905A, L
ICBO
VCB = 60 Vdc
All Types
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = 3.5 Vdc
VEB = 5.0 Vdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
IEBO
Min.
40
60
TO-39* (TO-205AD)
2N2904, 2N2904A
2N2905, 2N2905A
TO-5*
2N2904AL, 2N2905AL
*See appendix A for
package outline
Max.
Unit
Vdc
1.0 µAdc
1.0
20 ηAdc
10 µAdc
10
ηAdc
50 µAdc
10
120101
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N2904A | NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS | Boca Semiconductor Corporation |
2N2904A | Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP | Semicoa Semiconductor |
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