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DAM3B51 데이터시트 PDF




Hitachi에서 제조한 전자 부품 DAM3B51은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DAM3B51 자료 제공

부품번호 DAM3B51 기능
기능 SURGE SUPPRESSOR DIODE
제조업체 Hitachi
로고 Hitachi 로고


DAM3B51 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DAM3B51 데이터시트, 핀배열, 회로
SURGE SUPPRESSOR DIODE
DAM3B
FEATURES
High transient reverse power capability
suitable for protecting automobile electronic
components etc.
Diffused-junction. Resin encapsulated.
OUTLINE DRAWING
Direction of polarity
Unit in mm(inch)
φ 0.8
(0.03)
27CA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Items
Symbols
Non-Repetitive Peak Reverse One-
Cycle Dissipation
PRSM
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
DC Reverse Voltage
Tj
Tstg
VDC
Units
W
°C
°C
V
Weight: 0.50 (g)
Ratings
1800(Rectangular pulse t=0.1ms Tj=25°C start)
-40 ~ +150
-40 ~ +150
Refer to characteristics column
CHARACTERISTICS(TL=25°C)
DC Characteristics
Reverse
Zener Voltage Vz (V) Maximum
Type
Voltage
Dynamic
VDC Minimum Maximum Impedance
(V) Zz (ohm)
DAM3B10
7
9.4 10.6 15
DAM3B11
8
10.4 11.6
15
DAM3B12
9
11.4 12.7
15
DAM3B13
10
12.4 14.1
15
DAM3B15
11
13.5 15.6
15
DAM3B16
12
15.3 17.1
15
DAM3B18
13
16.8 19.1
15
DAM3B20
14
18.8 21.2
15
DAM3B22
16
20.8 23.3
15
DAM3B24
18
22.7 25.6
15
DAM3B27
20
25.1 28.9
15
DAM3B30
22
28.0 32.0
15
DAM3B33
24
31.0 35.0
15
DAM3B36
26
33.4 38.6
15
DAM3B39
28
36.1 41.9
15
DAM3B43
31
39.8 46.2
30
DAM3B47
34
43.3 50.7
30
DAM3B51
37
46.9 55.1
30
Test Current
Iz
(mA)
75
75
75
75
75
75
45
45
45
30
30
30
30
30
30
20
20
20
Maximum
Reverse
Current
IRRM
(µA)
VR
(V)
50 7
50 8
50 9
50 10
50 11
50 12
50 13
50 14
50 16
50 18
50 20
50 22
50 24
50 26
50 28
50 31
50 34
50 37
PDE-DAM3B-0
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/





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