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IKW40N65F5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IKW40N65F5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IKW40N65F5 자료 제공

부품번호 IKW40N65F5 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IKW40N65F5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 18 페이지수

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IKW40N65F5 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
Highspeed5FASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technologycopackedwithRAPID1
fastandsoftantiparalleldiode
IKP40N65F5,IKW40N65F5
650VDuoPackIGBTandDiode
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl




IKW40N65F5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IKW40N65F5,IKP40N65F5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Maximumratings
Parameter
Collector-emitter voltage
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
TurnoffsafeoperatingareaVCE650V,Tvj175°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
Symbol
VCE
Value
650
IC
ICpuls
-
74.0
46.0
120.0
120.0
IF
IFpuls
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
36.0
21.0
120.0
±20
±30
255.0
120.0
-40...+175
-55...+150
PG-TO247-pinGCE
PG-TO220-3
M
260
260
0.6
Unit
V
A
A
A
A
A
V
W
°C
°C
°C
Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
PG-TO247-pinGCE
PG-TO220-3
Max.Value
Unit
0.60 K/W
1.80 K/W
40
62
K/W
4 Rev.1.2,2013-12-18

4페이지










IKW40N65F5 전자부품, 판매, 대치품
IKW40N65F5,IKP40N65F5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
DiodeCharacteristic,atTvj=150°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Diode reverse recovery time
Diode reverse recovery charge
trr
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=20.0A,
diF/dt=1000A/µs
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=5.0A,
diF/dt=1000A/µs
- 85 - ns
- 1.00 - µC
- 17.0 - A
- -220 - A/µs
- 50 - ns
- 0.50 - µC
- 14.0 - A
- -500 - A/µs
7 Rev.1.2,2013-12-18

7페이지


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