PDF 2SC2712 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	2SC2712
Descripción	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Fabricantes	Galaxy Semi-Conductor
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No Preview Available ! BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Pb z Low noise：NF=1dB (Typ.),10 dB(Max). Lead-free z Complementary to 2SA1162. z High voltage and high current. z High hFE linearity. APPLICATIONS z Audio frequency general purpose amplifier applications. ORDERING INFORMATION Type No. Marking 2SC2712 LO▪/LY▪/LG▪/LL▪ Production specification 2SC2712 SOT-23 Package Code SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol Parameter Value VCBO Collector-Base Voltage 60 VCEO Collector-Emitter Voltage 50 VEBO Emitter-Base Voltage 5 IC Collector Current -Continuous 150 PC Collector Dissipation 150 Tj,Tstg Junction and Storage Temperature -55~150 Units V V V mA mW ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Document number: BL/SSSTC021 Rev.A www.galaxycn.com 1 Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/ 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
2SC2710	Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR	Toshiba Semiconductor
2SC2712	Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR	Toshiba Semiconductor
2SC2712	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR	Unisonic Technologies
2SC2712	Silicon NPN Transistors	Weitron Technology

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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