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부품번호 | 2SC4102 기능 |
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기능 | TRANSISTOR | ||
제조업체 | Jin Yu Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
2SC4102
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
High Breakdown Voltage
Complements the 2SA1579
SOT–323
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
VCBO Collector-Base Voltage
120
VCEO Collector-Emitter Voltage
120
VEBO Emitter-Base Voltage
5
IC Collector Current
50
PC Collector Power Dissipation
200
RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient
625
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Test conditions
IC=50µA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=50µA, IC=0
VCB=100V, IE=0
VEB=4V, IC=0
VCE=6V, IC=2mA
IC=10mA, IB=1mA
VCE=12V,Ic=2mA ,f=100MHz
VCB=12V, IE=0, f=1MHz
Min Typ
120
120
5
180
140
2.5
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
R
RANGE
180–390
MARKING
TR
S
270–560
TS
Max
500
500
560
0.5
Unit
V
V
V
nA
nA
V
MHz
pF
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC4102 | High-voltage Amplifier Transistor(120V/ 50mA) | ROHM Semiconductor |
2SC4102 | High-voltage Amplifier Transistor | Kexin |
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