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WS1105 데이터시트 PDF




AVAGO에서 제조한 전자 부품 WS1105은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 WS1105 자료 제공

부품번호 WS1105 기능
기능 CDMA Cell 3x3 Power Amplifier Module
제조업체 AVAGO
로고 AVAGO 로고


WS1105 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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WS1105 데이터시트, 핀배열, 회로
WS1105
CDMA Cell 3x3 Power Amplifier Module
(824-849 MHz)
Data Sheet
Description
The WS1105 is a CDMA(Code Division Multiple Access)
power amplifier module designed for handsets operating
in the 824-849MHz bandwidth.
The WS1105 features CoolPAM circuit technology that
offers state-of-the-art reliability, temperature stability and
ruggedness.
Digital mode control of CoolPAM reduces current con-
sumption, which enables extended talk time of mobile
devices.
The WS1105 meets stringent CDMA linearity requirements
to and beyond 28dBm output power. The 3mmx3mm form
factor 8-pin surface mount package is self contained, incor-
porating 50ohm input and output matching networks.
Functional Block Diagram
Vcc1(1)
Vcc2(8)
Features
x Excellent Linearity
x Low quiescent current
x High Efficiency
– PAE at 28dBm: 41.2%
– PAE at 16dBm: 17.7%
x 8-pin surface mounting package
– 3mmx3mmx1.0mm
x Internal 50ohm matching networks for both RF input
and output
x RoHS Compliant
Applications
x Digital CDMA Cellular
x Wireless Local Loop
RF Input
(2)
Input
Match
DA
Inter
Stage
Match
Bias Circuit & Control Logic
MMIC
PA
Vcont(3)
Vref(4)
Output
Match
RF Output
(7)
MODULE
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




WS1105 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics Data (Vcc=3.4V, Vref=2.85V, T=25°C, Zin/Zout=50ohm)
500
450 824MHz
400
836.5MHz
849MHz
350
300
250
200
150
100
50
0
0 5 10 15 20 25 30
Pout(dBm)
35
824MHz
30
836.5MHz
849MHz
25
20
15
10
0 5 10 15 20 25 30
Pout(dBm)
Figure 1. Total Current vs. Output Power
Figure 2. Gain vs. Output Power
45
40 824MHz
836.5MHz
35 849MHz
30
25
20
15
10
5
0
0 5 10 15 20 25 30
Pout(dBm)
-40
824MHz
-45 836.5MHz
849MHz
-50
-55
-60
-65
-70
-75
0
5 10 15 20 25 30
Pout(dBm)
Figure 3. Power Added Efficiency vs. Output Power
Figure 4. Adjacent Channel Power Ratio 1 vs. Output Power
-45
-50
824MHz
836.5MHz
-55 849MHz
-60
-65
-70
-75
-80
-85
0
5 10 15 20 25
Pout(dBm)
Figure 5. Adjacent Channel Power Ratio 2 vs. Output Power
30
4
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WS1105 전자부품, 판매, 대치품
Peripheral Circuit in Handset
VBATT
C5
RF In
MSMPA_R0
C3
C2
C1
+2.85V
Vcc1 Vcc2
WS1105
Vcont
C4
C6
C7 L1
Output Matching Circuit
GND
C8
Figure 10. Peripheral circuit
Notes :
– Recommended voltage for Vref is 2.85V
– Place C1 near to Vref pin
– Place C3 and C4 close to pin 1 (Vcc1) and pin 8 (Vcc2). These capacitors can affect the RF performance
– Use 50: transmission line between PAM and Duplexer and make it as short as possible to reduce conduction loss
S-type circuit topology is good to use for matching circuit between PA and Duplexer
RF Out
7
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