|
|
|
부품번호 | STP15L01F 기능 |
|
|
기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SamHop | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
r
Pr
STP15L01/F
Sa mHop Microelectronics C orp.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Ver1.0
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (mΩ) Typ
100V
110 @ VGS=10V
15A
121 @ VGS=4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-220 and TO-220F Package.
D
GDS
STP SERIES
TO-220
GDS
STF SERIES
TO-220F
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a
TC=25°C
TC=70°C
IDM -Pulsed b
EAS Single Pulse Avalanche Energy d
PD
a
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TO-220 TO-220F
100
±20 ±20
15 15 e
12.6
12.6 e
45 45 e
25
58 25
40 17.5
-55 to 175
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case a
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient a
2.6 6
62.5 62.5
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Nov,01,2010
www.samhop.com.tw
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
STP15L01/F
360
ID= 7A
300
240
125 C
180
75 C
120
25 C
60
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
900
750 C is s
600
450
300
150 C oss
C rss
0
05
10 15
20 25 30
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
Ver 1.0
60
125 C
10
75 C
25 C
1
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS =50V
8 ID= 7A
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
80
10 DC 10ms 1ms
1
0.1
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
1
10
100
V DS , Drain-S ource V oltage (V )
Figure 11a. Maximum Safe Operating
Area for STP15L01
4
80
10 DC 10ms1ms
1
0.1
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
1
10
100
V DS , Drain-S ource V oltage (V )
Figure 11b. Maximum Safe Operating
Area for STP15L01F
Nov,01,2010
www.samhop.com.tw
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
4페이지 STP15L01/F
F'
O
Ver 1.0
#
%
H
D
#
D
G
E
A
4.20
4.80
A1
1.95
2.85
b
0.56
1.05
b1
0.90
1.50
c
0.55
0.80
c2
2.50
3.10
E 9.70 10.30
L1
3.20
3.80
L2
6.90
7.50
L4 15.60 16.40
L5 13.50 14.50
O 3.20
e 2.55
f
1.30
1.90
g
3.40
3.80
h
2.10
2.70
Nov,01,2010
7 www.samhop.com.tw
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ STP15L01F.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STP15L01 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop |
STP15L01F | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |