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NE3519M04 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 NE3519M04은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NE3519M04 자료 제공

부품번호 NE3519M04 기능
기능 N-channel GaAs HJ-FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


NE3519M04 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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NE3519M04 데이터시트, 핀배열, 회로
PreliminaryData Sheet
NE3519M04
R09DS0008EJ0100
Rev.1.00
N-channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier Oct 21, 2010
FEATURES
Low noise figure and high associated gain
NF = 0.40 dB TYP., Ga = 18.5 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 2 GHz
Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package
APPLICATIONS
Satellite radio (SDARS, etc.)
Low noise amplifier for microwave communication system
ORDERING INFORMATION
Part Number
Order Number
Package
Quantity Marking
Supplying Form
NE3519M04-T2
NE3519M04-T2B
NE3519M04-T2-A
NE3519M04-T2B-A
Flat-lead 4-pin
thin-type super
minimold (M04)
(Pb-Free)
3 kpcs/reel
15 kpcs/reel
V85 Embossed tape 8 mm wide
Pin 1 (Source), Pin 2 (Drain)
face the perforation side of
the tape
Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office.
Part number for sample order: NE3519M04
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Ratings
Drain to Source Voltage
VDS
4.0
Gate to Source Voltage VGS 3.0
Drain Current
ID IDSS
Gate Current
Total Power Dissipation Note
IG
Ptot
200
150
Channel Temperature
Tch +150
Storage Temperature
Tstg 65 to +150
Note: Mounted on 1.08 cm2 × 1.0 mm (t) glass epoxy PWB
Unit
V
V
mA
μA
mW
°C
°C
CAUTION
Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
R09DS0008EJ0100 Rev.1.00
Oct 21, 2010
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NE3519M04 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NE3519M04
MINIMUM NOISE FIGURE,
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT
1.6
f = 2.0 GHz, VDS = 2 V
1.4
20
18
1.2 Ga
16
1.0 14
0.8 12
0.6
0.4 NFmin
10
8
0.2 6
0.0 4
0 5 10 15 20 25 30
Drain Current ID (mA)
MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1.6
f = 2.0 GHz, ID = 10 mA
1.4
20
18
1.2 Ga
16
1.0 14
0.8 12
0.6
0.4 NFmin
10
8
0.2 6
0.0 4
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
Drain to Source Voltage VDS (V)
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
MINIMUM NOISE FIGURE,
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT
1.6
f = 2.5 GHz, VDS = 2 V
1.4
20
18
1.2 Ga
1.0
16
14
0.8 12
0.6
0.4 NFmin
10
8
0.2 6
0.0 4
0 5 10 15 20 25 30
Drain Current ID (mA)
MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1.6
f = 2.5 GHz, ID = 10 mA
1.4
20
18
1.2 16
Ga
1.0 14
0.8 12
0.6
0.4 NFmin
10
8
0.2 6
0.0 4
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
Drain to Source Voltage VDS (V)
R09DS0008EJ0100 Rev.1.00
Oct 21, 2010
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NE3519M04 전자부품, 판매, 대치품
NE3519M04
S-PARAMETERS
S-parameters and noise parameters are provided on our Web site in a format (S2P) that enables the direct import of the
parameters to microwave circuit simulators without the need for keyboard inputs.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave] [Device Parameters]
URL http://www2.renesas.com/microwave/en/download.html
R09DS0008EJ0100 Rev.1.00
Oct 21, 2010
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