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PQMD12 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PQMD12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PQMD12 자료 제공

부품번호 PQMD12 기능
기능 NPN/PNP resistor-equipped transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PQMD12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PQMD12 데이터시트, 핀배열, 회로
PQMD12
NPN/PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ
24 July 2013
Product data sheet
1. General description
NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in a leadless ultra small
DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
2. Features and benefits
100 mA output current capability
Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
Low package height of 0.37 mm
Reduces component count
Reduces pick and place costs
AEC-Q101 qualified
3. Applications
Low current peripheral driver
Control of IC inputs
Replaces general-purpose transistors in digital applications
Mobile applications
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity
VCEO
collector-emitter
voltage
open base
IO output current
Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity
R1
R2/R1
resistance 1
resistance ratio
Tamb = 25 °C
Min Typ Max Unit
- - 50 V
- - 100 mA
33 47
0.8 1
61 kΩ
1.2
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PQMD12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PQMD12
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ
9. Thermal characteristics
Table 6. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Per transistor
Rth(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
Per device
Rth(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
Conditions
in free air
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 543 K/W
[1] - - 357 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
103
Zth(j-a)
(K/W)
102
duty cycle =
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
10
0.01
0
aaa-007378
1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
FR4 PCB, standard footprint
1
10 102 103
tp (s)
Fig. 3. Per transistor: Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration;
typical values
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity
ICBO
collector-base cut-off VCB = 50 V; IE = 0 A; Tamb = 25 °C
current
ICEO
collector-emitter cut-off VCE = 30 V; IB = 0 A; Tamb = 25 °C
current
VCE = 30 V; IB = 0 A; Tamb = 150 °C
IEBO
emitter-base cut-off
VEB = 5 V; IC = 0 A; Tamb = 25 °C
current
PQMD12
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Product data sheet
24 July 2013
Min Typ Max Unit
- - 100 nA
- - 1 µA
- - 5 µA
- - 90 µA
© NXP N.V. 2013. All rights reserved
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PQMD12 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
103
hFE
102
10
PQMD12
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ
006aac758
(1)
(2)
(3)
-1
VCEsat
(V)
-10-1
006aac759
(1)
(2)
(3)
1
-10-1
-1
VCE = -5 V
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = -40 °C
-10 -102
IC (mA)
-10-2
-10-1
-1
IC/IB = 20
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = -40 °C
-10 -102
IC (mA)
Fig. 10. PNP transistor: DC current gain as a function of Fig. 11. PNP transistor: Collector-emitter saturation
collector current; typical values
voltage as a function of collector current;
typical values
-10
006aac760
-10
006aac761
VI(on)
(V)
-1
(1)
(2)
(3)
VI(off)
(V)
-1
(1)
(2)
(3)
-10-1
-10-1
-1
VCE = -0.3 V
(1) Tamb = -40 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
-10 -102
IC (mA)
Fig. 12. PNP transistor: On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
-10-1
-10-1
-1
VCE = -5 V
(1) Tamb = -40 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
IC (mA)
-10
Fig. 13. PNP transistor: Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
PQMD12
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
24 July 2013
© NXP N.V. 2013. All rights reserved
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