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PDF TK32E12N1 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TK32E12N1
Descripción MOSFETs Silicon N-channel MOS
Fabricantes Toshiba　
Logotipo Toshiba Logotipo



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No Preview Available ! TK32E12N1 Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
TK32E12N1
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 120 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK32E12N1
TO-220
1: Gate
2: Drain (heatsink)
3: Source
1 2012-08-09
Rev.1.0
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

1 page




TK32E12N1 pdf
8. Characteristics Curves (Note)
TK32E12N1
Fig. 8.1 ID - VDS
Fig. 8.2 ID - VDS
Fig. 8.3 ID - VGS
Fig. 8.4 VDS - VGS
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta
5 2012-08-09
Rev.1.0
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TK32E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOSToshiba
Toshiba

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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