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TLP759F 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 TLP759F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TLP759F 자료 제공

부품번호 TLP759F 기능
기능 PHOTOCOUPLER
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


TLP759F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TLP759F 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Photocoupler GaAAs Ired + PhotoIC
TLP759F
Digital Logic Ground Isolation
Line Receiver
Microprocessor System Interfaces
Switching Power Supply Feedback Control
Transistor Inverter
TLP759F
Unit in mm
The TOSHIBA TLP759F consists of a GaAAs high-output light
emitting diode and a high speed detector of one chip photo diode-
transistor. This unit is 8-lead DIP package.
TLP759F has no internal base connection, and a faraday shield
integrated on the photodetector chip provides an effective common
mode noise transient immunity.
So this is suitable for application in noisy environmental condition.
All parameters are tested to the specification of TLP759.
Isolation voltage: 5000 Vrms (min.)
Switching speed: tpHL = 0.3μs (typ.)
tpHL = 0.5μs (typ.) (RL = 1.9 k)
TTL compatible
UL recognized: UL1577, file no. E67349
BSI approved:
BS EN60065:2002, certificate no.8869
BS EN60950-1:2002, certificate no.8870
Option (D4) type
VDE approved: DIN EN 60747-5-2
Certificate no. 40009302
Maximum operating insulation: 1140VPK
Highest permissible over voltage: 6000VPK
(Note) When an EN 60747-5-2 approved type is
needed, please designate the “ Option (D4) ”
TOSHIBA
1110C402
Weight: 0.54g
Pin Configuration(top view)
1
2
3
4 SHIELD
8
1: N.C.
2: Anode
3: Cathode
7 4: N.C.
5: Emitter(GND)
6 6: Collector(output)
7: N.C.
5 8: VCC
Creepage distance: 8.0mm
Clearance: 8.0mm
Insulation thickness: 0.4mm
Schematic
IF
2
VF
3
SHIELD
ICC
IO
VCC
8
VO
6
GND
5
1 2007-10-01
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/





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