Datasheet.kr   

2SK3650-01S 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 2SK3650-01S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SK3650-01S 자료 제공

부품번호 2SK3650-01S 기능
기능 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


2SK3650-01S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2SK3650-01S 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK3650-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
200304
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings [mm]
Features
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators
UPS (Uninterruptible Power Supply)
DC-DC converters
P4
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain-source voltage
VDS
150 V
VDSX *5
120 V
Continuous drain current
ID
±33 A
Pulsed drain current
ID(puls]
±132
A
Gate-source voltage
VGS
±30 V
Repetitive or non-repetitive
IAR *2
33 A
Maximum Avalanche Energy
EAS *1
169 mJ
Maximum Drain-Source dV/dt
dVDS/dt *4
20 kV/µs
Peak Diode Recovery dV/dt
Max. power dissipation
dV/dt *3
PD Ta=25°C
Tc=25°C
5
1.67
150
kV/µs
W
Operating and storage
temperature range
Tch
Tstg
+150
-55 to +150
°C
°C
*1 L=228µH, Vcc=48V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch=<150°C
*3 IF<=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc<=BVDSS, Tch<=150°C *4 VDS=<150V *5 VGS=-30V
Equivalent circuit schematic
Drain(D)
Gate(G)
Source(S)
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)
Item
Drain-source breakdown voltaget
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Forward transcondutance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time ton
Turn-off time toff
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Avalanche capability
Diode forward on-voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
IAV
VSD
trr
Qrr
Test Conditions
ID=250µA VGS=0V
ID= 250µA VDS=VGS
VDS=150V VGS=0V
Tch=25°C
VDS=120V VGS=0V
VGS=±30V VDS=0V
ID=11.5A VGS=10V
Tch=125°C
ID=11.5A VDS=25V
VDS=75V
VGS=0V
f=1MHz
VCC=48V ID=11.5A
VGS=10V
RGS=10
VCC=48V
ID=23A
VGS=10V
L=228µH Tch=25°C
IF=23A VGS=0V Tch=25°C
IF=23A VGS=0V
-di/dt=100A/µs Tch=25°C
Min. Typ. Max. Units
150
3.0
V
5.0 V
25 µA
250
10 100
nA
54 70 m
8 16
1150 1730
S
pF
200 300
17 26
13 20 ns
15 23
34 51
15 23
34 51 nC
9 13.5
12.5 19
33 A
1.10
1.65 V
130 ns
0.6 µC
Thermalcharacteristics
Item
Thermal resistance
Symbol
Rth(ch-c)
Rth(ch-a)
Test Conditions
channel to case
channel to ambient
Min. Typ.
Max. Units
0.833 °C/W
75.0 °C/W
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




2SK3650-01S pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK3650-01L,S,SJ
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
102
I =f(t ):starting
AV AV
Tch=25°C,Vcc=48V
Single Pulse
101
FUJI POWER MOSFET
100
10-1
10-2
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
t [sec]
AV
Maximum Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
101
10-2
100
10-1
10-2
10-3
10-6
10-5
10-4
Outline Drawings (mm)
Type(L)
10-3
t [sec]
10-2
10-1
100
Type(S)
Type(SJ)
4
1 23
1
2
3
1 23
1
42
3
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ 2SK3650-01S.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2SK3650-01L

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Fuji Electric
Fuji Electric
2SK3650-01S

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Fuji Electric
Fuji Electric

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵