Datasheet.kr   

16T202DA1E 데이터시트 PDF




Samsung에서 제조한 전자 부품 16T202DA1E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 16T202DA1E 자료 제공

부품번호 16T202DA1E 기능
기능 VFD Module
제조업체 Samsung
로고 Samsung 로고


16T202DA1E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 18 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

16T202DA1E 데이터시트, 핀배열, 회로
DISPLAY DEVICES
16T202DA1E (Tentative)
Page - 1 / 18
VACUUM FLUORESCENT DISPLAY MODULE
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




16T202DA1E pdf, 반도체, 판매, 대치품
DISPLAY DEVICES
16T202DA1E (Tentative)
4.8 Timing Chart and AC Characteristics
4.8.1 Power-on Reset and/or RESET signal Timing
Vcc
tOFF(VCC)
Min 100ms
0.2V
tr(VCC)
Max 1ms
4.5V
t ¡Ø
W A IT
Min 100us
Page - 4 / 18
/WR
/RST
tR E SET
Min 500ns
¡ØNote) tWAIT - Internal Reseting Time
Fig-1 Power-on Reset and /RESET signal Timing
4.8.2 i80 type CPU bus write-in Timing
RS
/WR
tSU(RS)
Min 10ns
DB0¡-DB7
tCYC(/WR)
Min 166ns
tH(RS)
Min 10ns
tWL(/WR)
Min 30ns
tSU(data)
Min 30ns
VALID
tWH(/WR)
Min 100ns
tHW(data)
Min 10ns
Fig-2 Data write-in Timing Diagram (i80 bus interface)
4.8.3 i80 type CPU bus read-out Timing
RS
/RD
tSU(RS)
Min 10ns
DB0¡-DB7
tCYC(/RD)
Min 166ns
tH(RS)
Min 10ns
tWL(/RD)
Min 70ns
tACESS(data)
Max 70ns
VALID
tWH(/RD)
Min 70ns
tHR(data)
Min 5ns
Fig-3 Data Read-out Timing Diagram (i80 bus interface)
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

4페이지










16T202DA1E 전자부품, 판매, 대치품
DISPLAY DEVICES
16T202DA1E (Tentative)
4.12 Connector Through Hole Location
10.38 2.54
2.50
#14
2.54
#13
14-©ª1.0
15.24
(p2.54X6)
10.38
#2 #1
(7.5)
4.13 Pattern Details
3.30
2.26 1.04
Fig-8 14-pin Through Hole Dimensions
51.76
0.372
0.10
4.94
6.15
11.09
4.343
1.21
Page - 7 / 18
0.534
0.10
0.311
0.286
Fig-9 Pattern Details
5. FUNCTION DESCRIPTIONS
5.1 Registers in VFD Controller
The VFD controller has two 8-bit registers, an instruction register (IR) and a data register (DR).
IR stores instruction codes, such as display clear and cursor shift, and address information for DD-RAM
and CG-RAM. The IR can only be written from the host MPU. DR temporarily stores data to be written
into DD-RAM or CG-RAM and temporarily stores data to be read from DD-RAM or CG-RAM. Data written
into the DR from the MPU is automatically written into DD-RAM or CG-RAM by an internal operation.
The DR is also used for data storage when reading data from DD-RAM or CG-RAM. When address
information is written into the IR, data is read and then stored into the DR from DD-RAM or CG-RAM by
internal operation. Data transfer between MPU is then completed when the MPU reads the DR. After the
read, data in DD-RAM or CG-RAM at the next address is sent to the DR for the next read from the MPU.
By the register selector (RS) signal, these two registers can be selected (See Table-8).
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

7페이지


구       성 총 18 페이지수
다운로드[ 16T202DA1E.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
16T202DA1E

VFD Module

Samsung
Samsung

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵