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2N4856 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 2N4856은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N4856 자료 제공

부품번호 2N4856 기능
기능 N-CHANNEL J-FET
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


2N4856 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N4856 데이터시트, 핀배열, 회로
TECHNICAL DATA
N-CHANNEL J-FET
Qualified per MIL-PRF-19500/385
Devices
2N4856 2N4857 2N4858 2N4859 2N4860 2N4861
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +250C unless otherwise noted)
2N4856 2N4859
Parameters / Test Conditions
Symbol 2N4857 2N4860
2N4858 2N4861
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
VGS -40 -30
VDS 40
30
Drain-Gate Voltage
Gate Current
VDG 40
30
IG 50
Power Dissipation
TA = +250C (1)
TC = +250C (2)
PT 0.36
1.8
Operating Junction & Storage Temperature Range
(1) Derate linearly 2.06 mW/0C for TA > 250C.
(2) Derate linearly 10.3 mW/0C for TC > 250C.
Tj, Tstg
-65 to +200
Unit
V
V
V
mA
W
W
0C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Symbol
Gate-Source Breakdown Voltage
VDS = 0, IG = 1.0 µAdc
2N4856, 2N4857, 2N4858
2N4859, 2N4860, 2N4861
V(BR)GSS
Gate-Source “Off” State Voltage
VDS = 15 Vdc, ID = 0.5 ηAdc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
2N4858, 2N4861
VGS(on)
Gate Reverse Current
VDS = 0, VGS = -20 Vdc
VDS = 0, VGS = -15 Vdc
Drain Current
VGS = -10 Vds, VDS = 15 Vdc
2N4856, 2N4857, 2N4858
2N4859, 2N4860, 2N4861
IGSS
ID(off)
Min.
-40
-30
-4.0
-2.0
-0.8
TO-18*
(TO-206AA)
*See appendix A for
package outline
Max. Units
Vdc
-10
-6.0
-4.0
-0.25
-0.25
0.25
Vdc
ηA
ηA
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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2N4856 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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