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부품번호 | 2SJ604 기능 |
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기능 | MOS Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Kexin | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SMD Type
MOSFET
MOS Field Effect Transistor
2SJ604
Features
Low on-resistance
RDS(on)1 =30 m MAX. (VGS =-10 V, ID = -23A)
RDS(on)2 = 43m MAX. (VGS = -4.0 V, ID =-23 A)
Low Ciss: Ciss = 3300 pF TYP.
Built-in gate protection diode
TO-263
+0.2
4.57+0.1 -0.2
1.27-0.1
Unit: mm
1.27+0.1
-0.1
0.1max
2.54+0.2
-0.2
5.08+0.1
-0.1
0.81+0.1
-0.1
2.54
0.4+0.2
-0.2
1 Gate
2 Drain
3 Source
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current (DC)
Drain current(pulse) *
Power dissipation
TC=25
TA=25
Channel temperature
Storage temperature
* PW 10 s, duty cycle 1 %
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID
PD
PD
Tch
Tstg
Rating
-60
20
45
125
70
1.5
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
W
www.kexin.com.cn 1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.co
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2SJ604.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ600 | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | NEC |
2SJ600 | MOS Field Effect Transistor | Kexin |
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