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부품번호 | BSZ086P03NS3G 기능 |
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기능 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOSTM P3 Power-Transistor
Features
• single P-Channel in S3O8
• Qualified according JEDEC1) for target applications
• 150 °C operating temperature
• V GS=25 V, specially suited for notebook applications
• Pb-free; RoHS compliant
• applications: battery management, load switching
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ086P03NS3 G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
-30 V
8.6 mΩ
-40 A
PG-TSDSON-8
Type
Package
BSZ086P03NS3E G PG-TSDSON-8
Marking
086P3N
Lead free
Yes
Halogen free
Yes
Packing
non-dry
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
I D T C=25 °C
T C=70 °C
T A=25 °C2)
I D,pulse T C=25 °C3)
E AS I D=-20 A, R GS=25 Ω
V GS
P tot T A=25 °C
T A=25 °C2)
T j, T stg
ESD class
JESD22-A114 HBM
Soldering temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1) J-STD20 and JESD22
Value
-40
-40
-13.5
-160
105
±25
69
2.1
-55 … 150
1C (1 kV - 2 kV)
260
55/150/56
Unit
A
mJ
V
W
°C
°C
Rev. 2.02
page 1
2009-11-16
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 Power dissipation
P tot=f(T C); t p≤10 s
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 40 80
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C1); D =0
parameter: t p
1000
120
2 Drain current
I D=f(T C); |V GS|≥10 V; t p≤10 s
BSZ086P03NS3 G
48
44
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJS=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
10
160
102
100
101
10
100 1
10-1
0.1
limited by on-state
resistance
1 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
100 1 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10-1
0.010.1
single pulse
10-2 0.01
0.1
10-1
Rev. 2.02
1 10
100 101
-V DS [V]
100
102
10-2
0.01
0.00001
10-5
page 4
0.0001
10-4
0.001
10-3
0.01
10-2
t p [s]
0.1
10-1
1
100
10
101
2009-11-16
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
102
25 °C
100 °C
101
125 °C
100
100
101 t AV [µs] 102
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=-250 µA
BSZ086P03NS3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=-20 A pulsed
parameter: V DD
8
7 -15 V
-6 V
6 -24 V
5
4
3
2
1
0
0
103
20
-Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
40
36
V GS
Qg
34
32
30 V g s(th)
28
Q g(th)
26
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.02
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2009-11-16
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BSZ086P03NS3G | Power MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
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