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부품번호 | BSZ100N03MSG 기능 |
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기능 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
Features
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)
• Low FOMSW for High Frequency SMPS
• 100% avalanche tested
• N-channel
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Superior thermal resistance
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ100N03MS G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
V GS=10 V
V GS=4.5 V
30 V
9.1 mΩ
11.4
40 A
PG-TSDSON-8
Type
BSZ100N03MS G
Package
PG-TSDSON-8
Marking
100N03M
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol Conditions
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
V GS=4.5 V, T A=25 °C,
R thJA=60 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=20 A, R GS=25 Ω
Value
40
28
39
25
10
160
20
15
±20
Unit
A
mJ
V
Rev. 2.0
page 1
2010-03-19
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
40
30
20
10
0
0 40 80
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
120
limited by on-state
resistance
102
1 µs
10 µs
100 µs
101 DC
1 ms
100 10 ms
2 Drain current
I D=f(T C)
parameter: V GS
45
BSZ100N03MS G
40
35
30 10 V
4.5 V
25
20
15
10
5
0
160 0 40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
160
0.5
1 0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
single pulse
10-1
10-1
Rev. 2.0
100 101
V DS [V]
102
0.01 0
10-6
0
10-5
0
10-4
0
10-3
0
10-2
0
10-1
1
100
t p [s]
page 4
2010-03-19
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
25 °C
10
100 °C
125 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
BSZ100N03MS G
15 V
10 6 V
24 V
8
6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0 4 8 12 16 20
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
34
V GS
32
30
28
26 V g s(th)
24
Rev. 2.0
22 Q g(th)
20
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
page 7
Q gs
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2010-03-19
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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