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부품번호 | BSZ160N10NS3G 기능 |
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기능 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features
• Ideal for high frequency switching
• Optimized technology for DC/DC converters
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• N-channel, normal level
• 100% avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ160N10NS3 G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
100 V
16 mΩ
40 A
PG-TSDSON-8
Type
BSZ160N10NS3 G
Package
PG-TSDSON-8
Marking
160N10N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
40 A
28
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=60 K/W2)
8
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
160
Avalanche energy, single pulse4) E AS I D=20 A, R GS=25 Ω
80 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Rev. 1.2
page 1
2009-11-12
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSZ160N10NS3 G
80 50
70 45
40
60
35
50
30
40 25
30 20
15
20
10
10
5
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C [°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
102
1 µs
10 µs
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
1 0.5
101
100
10-1
10-1
DC
100 µs
1 ms
10 ms
100 101 102
V DS [V]
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
103
0.01 0
10-6
0
10-5
0
10-4
0
10-3
0
10-2
0
10-1
1
100
t p [s]
Rev. 1.2
page 4
2009-11-12
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=10 A pulsed
parameter: V DD
BSZ160N10NS3 G
12
50 V
10
20 V
8 80 V
10
125 °C
100 °C
25 °C
6
4
2
1
0.1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
5 10
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
15
20
110
V GS
Qg
105
100
V g s(th)
Rev. 1.2
95
Q g(th)
90
-60
-20
20
60 100 140 180
T j [°C]
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2009-11-12
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