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BSZ165N04NSG 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSZ165N04NSG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSZ165N04NSG 자료 제공

부품번호 BSZ165N04NSG 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSZ165N04NSG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSZ165N04NSG 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS™3 Power-Transistor
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel; Normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• 100% Avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ165N04NS G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
40 V
16.5 m
31 A
PG-TSDSON-8
Type
BSZ165N04NS G
Package
PG-TSDSON-8
Marking
165N04N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=60 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=20 A, R GS=25
Value
31
20
8.9
124
20
5
±20
Unit
A
mJ
V
Rev. 2.0
page 1
2010-03-24
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




BSZ165N04NSG pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS10 V
BSZ165N04NS G
30
25
20
15
10
5
0
0 40 80
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
120
35
30
25
20
15
10
5
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
160
limited by on-state
resistance
102
101 DC
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
100 10 ms
0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 single pulse
10-1
10-1
Rev. 2.0
100 V DS [V] 101
0.01 0 0 0 0 0 0 1
102 10-6 10-5 10-4 t 1p0[-s3 ] 10-2 10-1 100
page 4
2010-03-24
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

4페이지










BSZ165N04NSG 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)
100
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=20 A pulsed
parameter: V DD
12
BSZ165N04NS G
20 V
10
8V
32 V
8
10
100 °C
125 °C
25 °C
6
4
2
1
0.1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
0
1000
0246
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
8 10
45
V GS
Qg
40
35
30 V g s(th)
25
Q g(th)
20
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.0
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2010-03-24
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7페이지


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