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2SD1113K 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 2SD1113K은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SD1113K 자료 제공

부품번호 2SD1113K 기능
기능 Silicon NPN Triple Diffused
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


2SD1113K 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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2SD1113K 데이터시트, 핀배열, 회로
To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)
Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com
Renesas Technology Corp.
Customer Support Dept.
April 1, 2003
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




2SD1113K pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SD1113(K)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Collector to base breakdown
voltage
Collector to emitter sustain
voltage
Emitter to base breakdown
voltage
Collector cutoff current
DC current transfer ratio
Collector to emitter saturation
voltage
Base to emitter saturation
voltage
Turn on time
Turn off time
Note: 1. Pulse test.
Symbol
V(BR)CBO
VCEO(sus)
V(BR)EBO
I CEO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
t on
t off
Min
300
300
7
500
Typ
2.0
23
Max Unit
500 V
—V
—V
100 µA
1.5 V
2.0 V
µs
µs
Test conditions
IC = 0.1 mA, IE = 0
IC = 3 A, PW = 50 µs,
f = 50 Hz, L = 10 mH
IE = 50 mA, IC = 0
VCE = 300 V, RBE =
VCE = 2 V, IC = 4 A*1
IC = 4 A, IB = 40 mA*1
IC = 4 A, IB = 40 mA*1
IC = 4 A, IB1 = –IB2 = 40 mA
IC = 4 A, IB1 = –IB2 = 40 mA
Maximum Collector Dissipation Curve
60
40
20
0 50 100 150
Case temperature TC (°C)
Area of Safe Operation
50
iC (peak)
10
IC (max)
1.0
0.1
Ta = 25°C
1 shot pulse
0.01
0.005
0.5 1.0 2 5 10 20 50 100200 500
Collector to emitter voltage VCE (V)
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