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MBR10150CT 데이터시트 PDF




Luguang Electronic에서 제조한 전자 부품 MBR10150CT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MBR10150CT 자료 제공

부품번호 MBR10150CT 기능
기능 (MBR1035CT - MBR10200CT) Schottky Barrier Rectifiers
제조업체 Luguang Electronic
로고 Luguang Electronic 로고


MBR10150CT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MBR10150CT 데이터시트, 핀배열, 회로
MBR1035CT-MBR10200CT
10.0AMP. Schottky Barrier Rectifiers
TO-220AB
Features
Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Classifications 94V-0
Metal silicon junction, majority carrier conduction
Low power loss, high efficiency
High current capability, low forward voltage drop
High surge capability
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection applications
Guardring for overvoltage protection
High temperature soldering guaranteed:
260oC/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case
Mechanical Data
Cases: JEDEC TO-220AB molded plastic body
Polarity: As marked
Mounting position: Any
Mounting torque: 5 in. - lbs. max
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Symbol MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR Units
1035 1045 1050 1060 1090 10100 10150 10200
CT CT CT CT CT CT CT CT
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at Tc=125OC
VRRM
VRMS
VDC
I(AV)
35 45 50 60 90 100 150 200
24 31 35 42 63 70 105 140
35 45 50 60 90 100 150 200
10
V
V
V
A
Peak Repetitive Forward
Square Wave, 20KHz) at
Current (Rated
Tc=125oC
VR,
IFRM
32
A
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method )
IFSM
120 A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1) IRRM
1.0 0.5 A
Maximum Instantaneous Forward Voltage at:
(Note 2)
IF=5A, TC=25oC
IF=5A, TC=125oC
IF=10A, TC=25oC
IF=10A, TC=125oC
VF
0.70
0.57
0.80
0.67
0.80
0.65
0.90
0.75
0.85
0.75
0.95
0.85
0.88
0.78
0.98
0.88
V
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ Tc =25 oC at Rated DC Blocking Voltage
IR
0.1
@ Tc=125 oC (Note 2)
15 10
2.0
mA
mA
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dV/dt
10,000
V/uS
Maximum Typical Thermal Resistance (Note 3)
RθJC
1.5 oC/W
Operating Junction Temperature Range
TJ
-65 to +150
oC
Storage Temperature Range
TSTG
-65 to +175
oC
Notes: 1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle
3. Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg, Mount on Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25in
Al-Plate.
- 108 -
http://www.luguang.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/





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