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F55NF06 데이터시트 PDF




Thinki Semiconductor에서 제조한 전자 부품 F55NF06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 F55NF06 자료 제공

부품번호 F55NF06 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR
제조업체 Thinki Semiconductor
로고 Thinki Semiconductor 로고


F55NF06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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F55NF06 데이터시트, 핀배열, 회로
55NF06
®
55NF06
Pb
Pb Free Plating Product
N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR
50 AMPERE 60 VOLT
N-CHANNEL POWER MOSFET
„ DESCRIPTION
Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current
conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low
on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max
threshold voltages of 4 volt.
It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching
mode power appliances.
„ FEATURES
* RDS(ON) = 23mȍ@VGS = 10 V
* Ultra low gate charge ( typical 30 nC )
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 80 pF )
* Fast switching capability
* 100% avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability
„ SYMBOL
U55NF06 TO-251/IPAK
P55NF06 TO-220
F55NF06 TO-220F
D55NF06 TO-252/DPAK
„ APPLICATION
Auotmobile Convert System
Networking DC-DC Power System
Power Supply etc..
12 3
TO-251/IPAK
12 3 TO-220/TO-220F
1 2 3 TO-252/DPAK
1.Gate
2.Drain
„ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
3.Source
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain-Source Voltage
VDSS
60 V
Gate-Source Voltage
VGSS
±20 V
Continuous Drain Current
TC = 25°C
TC = 100°C
ID
50 A
35 A
Pulsed Drain Current (Note 2)
IDM 200 A
Avalanche Energy
Single Pulsed (Note 3)
Repetitive (Note 2)
EAS
EAR
480 mJ
13 mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)
dv/dt
7 V/ns
TO-220
120 W
Power Dissipation (TC=25°C)
TO-251
PD
90 W
TO-252
136 W
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Operation and Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
2. Repetitive Rating: Pulse width limited by TJ
3. L=0.38mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=20ȍ, Starting TJ=25°C
4. ISD”50A, di/dt”300A/ȝs, VDD”BVDSS, Starting TJ=25°C
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F55NF06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
55NF06
„ TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)
®



Fig. 2A Switching Test Circuit ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ ʳ Fig. 2B Switching Waveforms
Fig. 3A Gate Charge Test Circuit
Fig. 3B Gate Charge Waveform
L
VDS
BVDSS
IAS
RG
10V
D.U.T.
VDD
VDD
ID(t)
VDS(t)
tp
tp
Time


Fig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit ʳ ʳ ʳ Fig. 4B Unclamped Inductive Switching Waveforms
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 4/6
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