Datasheet.kr   

STD8NM50N 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STD8NM50N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD8NM50N 자료 제공

부품번호 STD8NM50N 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STD8NM50N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 19 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STD8NM50N 데이터시트, 핀배열, 회로
STD8NM50N, STP8NM50N, STU8NM50N
N-channel 500 V, 0.73 Ω typ., 5 A MDmesh™II Power MOSFET
in DPAK, TO-220 and IPAK packages
Datasheet — production data
Features
Order codes
STD8NM50N
STP8NM50N
STU8NM50N
VDSS@TJMAX RDS(on)max.
550 V
< 0.79 Ω
ID
5A
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Applications
Switching applications
TAB
3
1
DPAK
TAB
3
2
1
TO-220
TAB
3
2
1
IPAK
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs
developed using the second generation of
MDmesh™ technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a vertical structure to the
company’s strip layout to yield one of the world’s
lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.
Figure 1. Internal schematic diagram
$ 4!"
'
3
!-V
Table 1. Device summary
Order codes
STD8NM50N
STP8NM50N
STU8NM50N
Marking
8NM50N
Packages
DPAK
TO-220
IPAK
Packaging
Tape and reel
Tube
September 2012
This is information on a product in full production.
Doc ID 17413 Rev 6
1/19
www.st.com
19
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




STD8NM50N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STD8NM50N, STP8NM50N, STU8NM50N
(TC = 25 °C unless otherwise specified)
Table 5. On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Drain-source
breakdown voltage
(VGS = 0)
ID = 1 mA
Zero gate voltage
VDS = 500 V
drain current (VGS = 0) VDS = 500 V, TC = 125 °C
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ± 25 V
Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 µA
Static drain-source on
resistance
VGS = 10 V, ID = 2.5 A
Min. Typ. Max. Unit
500 V
1 µA
100 µA
± 100 nA
2 3 4V
0.73 0.79 Ω
Table 6. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Ciss
Coss
Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS = 50 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
364 pF
- 33 - pF
1.2 pF
Equivalent output
Coss(eq)(1) capacitance time
related
VDS = 0 to 50 V, VGS = 0
- 147.5 - pF
RG
Intrinsic gate
resistance
f = 1 MHz open drain
- 5.4 - Ω
Qg Total gate charge
VDD = 400 V, ID = 5 A,
Qgs Gate-source charge VGS = 10 V
Qgd Gate-drain charge
(see Figure 16)
14 nC
- 3 - nC
7 nC
1. Coss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as Coss when VDS
increases from 0 to 80% VDSS
4/19 Doc ID 17413 Rev 6
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

4페이지










STD8NM50N 전자부품, 판매, 대치품
STD8NM50N, STP8NM50N, STU8NM50N
Electrical characteristics
Figure 8. Static drain-source on resistance Figure 9. Gate charge vs gate-source voltage
RDS(on)
(Ω)
AM07919v1
0.77
0.76
0.75
VGS=10V
0.74
0.73
0.72
0.71
0.7
0.69
0
1 2 3 4 5 ID(A)
VGS
(V)
12
VDS
10
8
VDD=400 V
ID=5 A
AM03195v1
400
350
300
250
6 200
150
4
100
2 50
00
0 5 10 15 Qg(nC)
Figure 10. Capacitance variations
Figure 11. Output capacitance stored energy
C
(pF)
AM07921v1
E
(μJ)
AM07922v1
1000
Ciss 2
100
Coss
10
Crss
1
0 1 10 100 VDS(V)
1
0
0 100 200 300 400 500 VDS(V)
Figure 12. Normalized gate threshold voltage
vs temperature
VGS(th)
(norm)
AM07923v1
ID = 250 µA
Figure 13. Normalized on resistance vs
temperature
RDS(on)
(norm)
2.1
ID = 2.5 A
AM07924v1
1.00 1.7
0.90 1.3
0.80
0.70
-50 -25 0 25 50 75 100 TJ(°C)
0.9
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 TJ(°C)
Doc ID 17413 Rev 6
7/19
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

7페이지


구       성 총 19 페이지수
다운로드[ STD8NM50N.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STD8NM50N

N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵