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STU8NC90Z 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STU8NC90Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STU8NC90Z 자료 제공

부품번호 STU8NC90Z 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STU8NC90Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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STU8NC90Z 데이터시트, 핀배열, 회로
STU8NC90Z
STU8NC90ZI
N-CHANNEL 900V - 1.1- 7.6A Max220/I-Max220
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STU8NC90Z
STU9NC90ZI
900 V
900 V
< 1.38
< 1.38
7A
7A
s TYPICAL RDS(on) = 1.1
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The third generation of MESH OVERLAY™ Power
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-
passed on-resistance per unit area while integrating
back-to-back Zener diodes between gate and
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-
ity with higher ruggedness performance as request-
ed by a large variety of single-switch applications.
23
1
Max220
I-Max220
APPLICATIONS
s SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION
s WELDING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuos) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuos) at TC = 100°C
IDM (1) Drain Current (pulsed)
PTOT
Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
IGS Gate-source Current
VESD(G-S) Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)
dv/dt(q) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO
Insulation Winthstand Voltage (DC)
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•)Pulse width limited by safe operating area
Sep 2000
Value
STU8NC90Z
STU8NC90ZI
900
900
±25
7 7(*)
4.4 4.4(*)
28 28(*)
160
1.28
55
0.44
±50
4
3
-- 2000
–65 to 150
150
(1)ISD 7A, di/dt 100A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
(*)Limited only by maximum temperature allowed
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
mA
KV
V/ns
V
°C
°C
1/10
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STU8NC90Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
STU8NC90Z/STU8NC90ZI
Safe Operating Area For Max220
Safe Operating Area For I-Max220
Thermal Impedance For Max220
Thermal Impedance For I-Max220
Output Characteristics
Transfer Characteristics
4/10
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STU8NC90Z 전자부품, 판매, 대치품
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit
STU8NC90Z/STU8NC90ZI
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3: Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
Fig. 4: Gate Charge test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
7/10
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