|
|
|
부품번호 | MEM2309 기능 |
|
|
기능 | P-Channel MOSFET | ||
제조업체 | MicrOne | ||
로고 | |||
MEM2309
P-Channel MOSFET MEM2309S
Description
MEM2309SGSeries P-channel enhancement
mode field-effect transistor ,produced with
high cell density DMOS trench technology,
which is especially used to minimize on-state
resistance.
This device particularly suits low voltage
applications, and low power dissipation.
Feature
l -30V/-6A
RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
l High Density Cell Design For Ultra Low
On-Resistance
l Surface mount package:SOP8
Pin Configuration
Typical Application:
l Power management
l Load switch
l Battery protection
Absolute Maximum Ratings:
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain
TA=25
Current
TA=70
Pulsed Drain Current1,2
Total Power TA=25
Dissipation
TA=70
Operating Temperature
Range
Storage Temperature Range
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
Pd
TOpr
Tstg
Ratings
-30V
±20
-6
-3.2
-30
2
0.8
150
-65/150
Unit
V
V
A
A
W
V5.0
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
MEM2309
V5.0
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ MEM2309.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MEM2309 | P-Channel MOSFET | MicrOne |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |