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부품번호 | DTU15P03 기능 |
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기능 | P-Channel MOSFET | ||
제조업체 | Din-Tek | ||
로고 | |||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
D561
www.daysemi.jp
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) (Ω)
- 30 0.0125 at VGS = - 10 V
0.0205 at VGS = - 4.5 V
ID (A)d
- 14.9
- 11.6
Qg (Typ.)
29.5 nC
TO-252
S
G
FEATURES
• Halogen-free
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg Tested
• 100 % UIS Tested
APPLICATIONS
• Load Switch
• Notebook Adaptor Switch
RoHS
COMPLIANT
GDS
Top View
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
TC = 25 °C
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)
TC = 70 °C
TA = 25 °C
ID
Pulsed Drain Current
TA = 70 °C
IDM
Continuous Source-Drain Diode Current
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
TC = 25 °C
TA = 25 °C
L = 0.1 mH
IS
IAS
EAS
TC = 25 °C
Maximum Power Dissipation
TC = 70 °C
TA = 25 °C
PD
Operating Junction and Storage Temperature Range
TA = 70 °C
TJ, Tstg
Limit
- 30
± 25
- 14.9
- 11.9
- 10.9a, b
- 8.6a, b
- 60
- 4.1
- 2.2a, b
- 20
20
5.0
3.2
2.7a, b
1.7a, b
- 55 to 150
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambienta, c
Maximum Junction-to-Foot
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
d. Based on TC = 25 °C.
t ≤ 10 s
Steady State
Symbol
RthJA
RthJF
Typical
38
20
Maximum
46
25
Unit
V
A
mJ
W
°C
Unit
°C/W
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
D561
www.daysemi.jp
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100 0.10
TJ = 150 °C
10
0.08
TJ = 25 °C
1 0.06
ID = 10 A
0.1
0.01
0.001
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.2
0.8
ID = 250 µA
0.6
0.4
ID = 5 mA
0.2
0.0
- 0.2
0.04
0.02
TJ = 125 °C
0.00
TJ = 25 °C
0 2 4 6 8 10
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
170
136
102
68
34
- 0.4
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125 150
TJ - Temperature (°C)
Threshold Voltage
0
0.001
0.01
0.1
1
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by RDS(on)*
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1 10 s
0.01
0.01
TA = 25 °C
Single Pulse
0.1 1
BVDSS
DC
10 100
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
* VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified
Safe Operating Area
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
4페이지 E
b3
b b2
e
e1
E1
Package Information
TO-252AA CASE OUTLINE
A
C2
C
A1
MILLIMETERS
DIM.
MIN.
MAX.
A 2.18 2.38
A1 - 0.127
b 0.64 0.88
b2 0.76 1.14
b3 4.95 5.46
C 0.46 0.61
C2 0.46 0.89
D 5.97 6.22
D1 5.21
-
E 6.35 6.73
E1 4.32
-
H 9.40 10.41
e 2.28 BSC
e1 4.56 BSC
L 1.40 1.78
L3 0.89 1.27
L4 - 1.02
L5 1.14 1.52
ECN: X12-0247-Rev. M, 24-Dec-12
DWG: 5347
Note
• Dimension L3 is for reference only.
INCHES
MIN.
MAX.
0.086
0.094
- 0.005
0.025
0.035
0.030
0.045
0.195
0.215
0.018
0.024
0.018
0.035
0.235
0.245
0.205
-
0.250
0.265
0.170
-
0.370
0.410
0.090 BSC
0.180 BSC
0.055
0.070
0.035
0.050
- 0.040
0.045
0.060
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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