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DTU30N02 데이터시트 PDF




Din-Tek에서 제조한 전자 부품 DTU30N02은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DTU30N02 자료 제공

부품번호 DTU30N02 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Din-Tek
로고 Din-Tek 로고


DTU30N02 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DTU30N02 데이터시트, 핀배열, 회로
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
D56/
www.daysemi.jp
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
20
RDS(on) (Ω)
0.005 at VGS = 10 V
0.0057 at VGS = 4.5 V
0.0076 at VGS = 2.5 V
ID (A)a
30
30
30
Qg (Typ.)
15.5 nC
TO-252
D
G
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Gen III Power MOSFET
• 100 % Rg Tested
• 100 % UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC
• Low Voltage Drive
• POL
GDS
Top View
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS
VGS
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)
TC = 25 °C
TC = 70 °C
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
TC = 25 °C
TA = 25 °C
IDM
IS
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
L = 0.1 mH
IAS
EAS
TC = 25 °C
Maximum Power Dissipation
TC = 70 °C
TA = 25 °C
PD
Operating Junction and Storage Temperature Range
TA = 70 °C
TJ, Tstg
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
Limit
20
± 12
30a
30a
22.6b, c
18.2b, c
70
25a
4.1b, c
20
20
27.7
17.7
4.6b, c
3.0b, c
- 55 to 150
260
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Notes:
a. Package limited.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
t 10 s
Steady State
Symbol
RthJA
RthJC
Typical
22
3.5
Maximum
27
4.5
Unit
V
A
mJ
W
°C
Unit
°C/W
1
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DTU30N02 pdf, 반도체, 판매, 대치품
D56/
www.daysemi.jp
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100 0.025
TJ = 150 °C
10
0.020
1
TJ = 25 °C
0.015
ID = 10 A
0.1
0.01
0.001
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.2
0.3
ID = 250 µA
0.1
0.010
0.005
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
0.000
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
150
120
- 0.1
- 0.3
ID = 5 mA
90
60
- 0.5
30
- 0.7
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125 150
TJ - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by RDS(on)*
0
0.001
0.01
0.1
1
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 1 ms
10 ms
1 100 ms
1s
10 s
0.1 DC
0.01
0.01
TA = 25 °C
Single Pulse
0.1 1
BVDSS
10
100
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
* VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
4
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4페이지










DTU30N02 전자부품, 판매, 대치품
E
b3
b b2
e
e1
E1
Package Information

TO-252AA CASE OUTLINE
A
C2
C
A1
MILLIMETERS
DIM.
MIN.
MAX.
A 2.18 2.38
A1 - 0.127
b 0.64 0.88
b2 0.76 1.14
b3 4.95 5.46
C 0.46 0.61
C2 0.46 0.89
D 5.97 6.22
D1 5.21
-
E 6.35 6.73
E1 4.32
-
H 9.40 10.41
e 2.28 BSC
e1 4.56 BSC
L 1.40 1.78
L3 0.89 1.27
L4 - 1.02
L5 1.14 1.52
ECN: X12-0247-Rev. M, 24-Dec-12
DWG: 5347
Note
• Dimension L3 is for reference only.
INCHES
MIN.
MAX.
0.086
0.094
- 0.005
0.025
0.035
0.030
0.045
0.195
0.215
0.018
0.024
0.018
0.035
0.235
0.245
0.205
-
0.250
0.265
0.170
-
0.370
0.410
0.090 BSC
0.180 BSC
0.055
0.070
0.035
0.050
- 0.040
0.045
0.060
1
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