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SKM400GA12E4 데이터시트 PDF




Semikron에서 제조한 전자 부품 SKM400GA12E4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SKM400GA12E4 자료 제공

부품번호 SKM400GA12E4 기능
기능 IGBT4 Modules
제조업체 Semikron
로고 Semikron 로고


SKM400GA12E4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SKM400GA12E4 데이터시트, 핀배열, 회로
SKM400GA12E4
SEMITRANS®4
IGBT4 Modules
SKM400GA12E4
Features
• IGBT4 = 4. Generation (Trench)IGBT
• VCEsat with positive temperature
coefficient
• High short circuit capability, self
limiting to 6 x ICNOM
• Soft switching 4. Generation CAL
diode (CAL4)
Typical Applications
• AC inverter drives
• UPS
• Electronic welders at fsw up to 20 kHz
Remarks
• Case temperature limited to
Tc = 125°C max, recomm.
Top = -40 ... +150°C, product
rel. results valid for Tj = 150°
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
VCES
IC
ICnom
ICRM
VGES
tpsc
Tj
Tj = 175 °C
ICRM = 3xICnom
VCC = 800 V
VGE 15 V
VCES 1200 V
Tc = 25 °C
Tc = 80 °C
Tj = 150 °C
Inverse diode
IF
Tj = 175 °C
Tc = 25 °C
Tc = 80 °C
IFnom
IFRM
IFRM = 3xIFnom
IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C
Tj
Module
It(RMS)
Tstg
Visol
AC sinus 50Hz, t = 1 min
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
VCE(sat)
VCE0
rCE
VGE(th)
ICES
Cies
Coes
Cres
QG
RGint
td(on)
tr
Eon
td(off)
tf
Eoff
Rth(j-c)
IC = 400 A
VGE = 15 V
chiplevel
Tj = 25 °C
Tj = 150 °C
Tj = 25 °C
Tj = 150 °C
VGE = 15 V
Tj = 25 °C
Tj = 150 °C
VGE=VCE, IC = 15.2 mA
VGE = 0 V
VCE = 1200 V
Tj = 25 °C
Tj = 150 °C
VCE = 25 V
VGE = 0 V
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
VGE = - 8 V...+ 15 V
Tj = 25 °C
VCC = 600 V
Tj = 150 °C
IC = 400 A
Tj = 150 °C
VGE = ±15 V
RG on = 1
RG off = 1
Tj = 150 °C
Tj = 150 °C
di/dton = 7100 A/µs Tj = 150 °C
di/dtoff = 3900 A/µs Tj = 150 °C
per IGBT
Values
1200
618
475
400
1200
-20 ... 20
10
-40 ... 175
440
329
400
1200
1980
-40 ... 175
500
-40 ... 125
4000
Unit
V
A
A
A
A
V
µs
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
min.
5
typ.
1.8
2.2
0.8
0.7
2.5
3.8
5.8
0.1
24.6
1.62
1.38
2260
1.9
264
56
28
575
117
59
max. Unit
2.05
2.4
0.9
0.8
2.9
4.0
6.5
0.3
0.072
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K/W
GA
© by SEMIKRON
Rev. 0 – 19.02.2009
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




SKM400GA12E4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SKM400GA12E4
Fig. 7: Typ. switching times vs. IC
Fig. 8: Typ. switching times vs. gate resistor RG
Fig. 9: Transient thermal impedance
Fig. 10: CAL diode forward characteristic
Fig. 11: CAL diode peak reverse recovery current
Fig. 12: Typ. CAL diode peak reverse recovery charge
4
Rev. 0 – 19.02.2009
© by SEMIKRON
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