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050N60PA 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 050N60PA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 050N60PA 자료 제공

부품번호 050N60PA 기능
기능 KMB050N60PA
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


050N60PA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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050N60PA 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
It s mainly suitable for low viltage applications such as automotive,
DC/DC converters and a load switch in battery powered applications
FEATURES
VDSS= 60V, ID= 50A
Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)=18m (Max.) @VGS = 10V
MOSFET MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise noted)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
DC
Pulsed (Note 1)
Drain-Source Diode Forward Current
Drain Power Dissipation
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
VDSS
VGSS
ID*
IDP
IS
PD* 25
Tj
Tstg
60
25
50
200
50
120
-55 175
-55 175
V
V
A
A
A
W
Note1) Pulse Test : Pulse width 10 S Duty cycle 1%
Thermal Characteristics
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RthJA 62.5 /W
Thermal Resistance, Junction-to-Case
RthJC
1.24
/W
Equivalent Circuit
D
KMB050N60PA
N CHANNEL MOS FIELD
EFFECT TRANSISTOR
A
E
I
K
M
D
NN
F
G
B
Q
L
J
O
C
P
H
123
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 9.9 +_ 0.2
B 15.95 MAX
C 1.3+0.1/-0.05
D 0.8 +_ 0.1
E 3.6 +_ 0.2
F 2.8 +_ 0.1
G 3.7
H 0.5+0.1/-0.05
I 1.5
J 13.08 +_ 0.3
K 1.46
L 1.4 +_ 0.1
M 1.27 +_ 0.1
N 2.54 +_ 0.2
O 4.5 +_ 0.2
P 2.4 +_ 0.2
Q 9.2 +_ 0.2
TO-220AB
G
S
2007. 8. 9
Revision No : 1
1/6
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




050N60PA pdf, 반도체, 판매, 대치품
KMB050N60PA
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10-1
Fig 7. C - VDS
Coss
Frequency = 1MHz
Ciss
Crss
100 101
Drain - Source Voltage VDS (V)
Fig 8. Qg - VGS
12
ID= 50A
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Gate - Charge Qg (nC)
Fig 9. Safe Operation Area
103
Operation in this
area is limited by RDS(ON)
102
101
Tc= 25 C
Tj = 150 C
Single nonrepetitive pulse
10100-1
100
100µs
1ms
10ms
DC
101 102
Drain - Source Voltage VDS (V)
Fig 10. ID - Tj
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature Tj ( C)
Fig 11. Rth
2007. 8. 9
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
0.01
10-5
Single Pulse
10-4
10-3
10-2
PDM
t1
t2
- Duty Factor, D= t1/t2
Tj(max) - Tc
- RthJC =
PD
10-1 100
101
Square Wave Pulse Duration (sec)
Revision No : 1
4/6
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