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40T03GH 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 40T03GH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 40T03GH 자료 제공

부품번호 40T03GH 기능
기능 AP40T03GH
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


40T03GH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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40T03GH 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP40T03GH/J
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Low Gate Charge
Fast Switching
G
D
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP40T03GJ)
are available for low-profile applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
25mΩ
28A
GD
S
TO-252(H)
GD
S
TO-251(J)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+25
28
24
95
31.25
0.25
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Value
4
62.5
110
Units
/W
/W
/W
Data and specifications subject to change without notice
1
200811034
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




40T03GH pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP40T03GH/J
12
I D =18A
9 V DS =10V
V DS =15V
V DS =20V
6
3
0
0369
Q G , Total Gate Charge (nC)
12
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
100us
10
1ms
T C =25 o C
Single Pulse
1
0.1
1
10ms
100ms
DC
10 100
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
1000
C iss
C oss
C100 rss
10
1
8 15 22 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , Pulse Width (s)
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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