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BRF2N60 데이터시트 PDF




LZG에서 제조한 전자 부품 BRF2N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BRF2N60 자료 제공

부품번호 BRF2N60 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 LZG
로고 LZG 로고


BRF2N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BRF2N60 데이터시트, 핀배열, 회로
BRF2N60(CS2N60F)
N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃)
2.0 A
ID(Tc=100℃)
1.3 A
IDM 6.0 A
VGSS
±30
V
EAS 120 mJ
EAR 5.4 mJ
IAR 2.0 A
PD(Tc=25℃)
23 W
TJ,TSTG
-55 to 150 ℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
BVDSS
VGS=0V
ID=250μA
IDSS
VDS=600V
VDS=480V
VGS=0V
TC=125℃
IGSS VGS=±30V VDS=0V
VGS(th)
VDS=VGS
ID=250μA
RDS(on)
VGS=10V
ID=1.0A
gFS
VDS=40V
ID=1.0A
VSD
VGS=0V
IS=2.0A
Ciss
Coss VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
Crss
td(on)
tr
td(off)
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
tf
最小值
Min
600
2.0
典型值
Typ
4.0
2.05
320
35
4.5
8.0
23
25
28
最大值
Max
1.0
100
±0.1
4.0
5.0
1.4
420
46
6.0
30
60
60
70
单位
Unit
V
μA
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
http://www.lzg.so
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/





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다운로드[ BRF2N60.PDF 데이터시트 ]

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