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42N03LT 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 42N03LT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 42N03LT 자료 제공

부품번호 42N03LT 기능
기능 PHB42N03LT
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


42N03LT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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42N03LT 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
TrenchMOStransistor
Logic level FET
Product specification
PHB42N03LT
FEATURES
’Trench’ technology
• Very low on-state resistance
• Fast switching
• Stable off-state characteristics
• High thermal cycling performance
• Low thermal resistance
• Surface mounting package
SYMBOL
g
d
s
QUICK REFERENCE DATA
VDSS = 30 V
ID = 42 A
RDS(ON) 26 m(VGS = 5 V)
RDS(ON) 23 m(VGS = 10 V)
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
logic level field-effect power
transistor in a plastic envelope
using ’trench’ technology. The
device has very low on-state
resistance. It is intended for use in
dc to dc converters and general
purpose switching applications.
The PHB42N03LT is supplied in the
SOT404 surface mounting
package.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 gate
2 drain (no connection
possible)
3 source
tab drain
SOT404
mb
2
13
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VDS
VDGR
±VGS
ID
ID
IDM
Ptot
Tstg, Tj
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
-
RGS = 20 k
-
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 100 ˚C
Tmb = 25 ˚C
Tmb = 25 ˚C
-
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
Rth j-mb
Rth j-a
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
-
pcb mounted, minimum
footprint
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
30
30
15
42
33
168
86
175
TYP.
-
50
MAX.
1.75
-
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
˚C
UNIT
K/W
K/W
December 1997
1
Rev 1.300
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/




42N03LT pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
TrenchMOStransistor
Logic level FET
Product specification
PHB42N03LT
120 PD%
Normalised Power Derating
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
Tmb / C
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100PD/PD 25 ˚C = f(Tmb)
ID%
120
110
100
Normalised Current Derating
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
Tmb / C
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100ID/ID 25 ˚C = f(Tmb); conditions: VGS 5 V
ID / A
1000
7528-30
100 RDS(ON) = VDS / ID
10
DC
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
1
1 10 100
VDS / V
Fig.3. Safe operating area. Tmb = 25 ˚C
ID & IDM = f(VDS); IDM single pulse; parameter tp
Zth j-mb / (K/W)
10
D=
7528-30
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
PD tp
D=
tp
T
0
0.01
1E-07
1E-05
1E-03
t/s
T
1E-01
t
1E+01
Fig.4. Transient thermal impedance.
Zth j-mb = f(t); parameter D = tp/T
ID / A
80
10
6
60
5
40
VGS / V =
9528-30
4.5
4
3.5
20 3
2.5
0
0 2 4 6 8 10
VDS / V
Fig.5. Typical output characteristics, Tj = 25 ˚C.
ID = f(VDS); parameter VGS
RDS(ON) / mOhm
40
30
20
10
4
VGS / V =
9528-30
4.5
5
6
10
0
0 20 40 60 80
ID / A
Fig.6. Typical on-state resistance, Tj = 25 ˚C.
RDS(ON) = f(ID); parameter VGS
December 1997
4
Rev 1.300
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

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42N03LT 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
TrenchMOStransistor
Logic level FET
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
10.3 max
4.5 max
1.4 max
11 max
15.4
Product specification
PHB42N03LT
2.5
0.85 max
(x2)
0.5
2.54 (x2)
Fig.18. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
Fig.19. SOT404 : soldering pattern for surface mounting.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
December 1997
7
Rev 1.300
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

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