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4957AGM 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 4957AGM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4957AGM 자료 제공

부품번호 4957AGM 기능
기능 AP4957AGM
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


4957AGM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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4957AGM 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP4957AGM
RoHS-compliant Product
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low On-Resistance
Simple Drive Requirement
Dual P MOSFET Package
D2
D2
D1
D1
Description
SO-8
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
G2
S2
G1
S1
G1
BVDSS
RDS(ON)
ID
D1
G2
S1
-30V
26mΩ
-7.4A
D2
S2
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Rthj-a
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Rating
-30
±20
-7.4
-5.9
-30
2
-55 to 150
-55 to 150
Value
62.5
Units
V
V
A
A
A
W
Unit
/W
Data and specifications subject to change without notice
1
200712191
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/




4957AGM pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP4957AGM
14
12 I D = - 7 A
V DS = - 24 V
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
100us
1ms
1
10ms
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
0.1
1 10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
30
V DS =-5V
T j =25 o C
T j =150 o C
20
10
0
01234
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
5
f=1.0MHz
10000
C1000 iss
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=135oC/W
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
t , Pulse Width (s)
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
-4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

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