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부품번호 | D70N02L 기능 |
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기능 | STD70N02L | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 17 페이지수
STD70N02L
STD70N02L-1
N-channel 24V - 0.0068Ω - 60A - DPAK - IPAK
STripFET™ III Power MOSFET
General features
Type
STD70N02L
STD70N02L-1
VDSS
24V
24V
RDS(on)
<0.008Ω
<0.008Ω
■ RDS(ON) * Qg industry’s benchmark
■ Conduction losses reduced
■ Switching losses reduced
■ Low threshold device
ID
60A
60A
Description
This series of products utilizes the latest
advanced design rules of ST’s proprietary
STripFET™ technology. This is suitable for the
most demanding DC-DC converter application
where high efficiency is to be achieved.
Applications
■ Switching application
3
1
DPAK
IPAK
3
2
1
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STD70N02L-1
STD70N02L
Marking
D70N02L
D70N02L
Package
IPAK
DPAK
Packaging
Tube
Tape & reel
May 2006
Rev 4
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www.st.com
17
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STD70N02L - STD70N02L-1
(Tcase =25°C unless otherwise specified)
Table 3. On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
V(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
ID = 25mA, VGS= 0
IDSS
Zero gate voltage drain VDS = 20V,
current (VGS = 0)
VDS = 20V,Tc = 125°C
IGSS
Gate body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ±20V
VGS(th) Gate threshold voltage VDS= VGS, ID = 250µA
RDS(on)
Static drain-source on
resistance
VGS= 10V, ID= 30A
VGS= 5V, ID= 15A
Min. Typ. Max. Unit
24 V
1 µA
10 µA
±100 nA
1 1.8
V
0.0068 0.008 Ω
0.090 0.014 Ω
Table 4. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
gfs (1)
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Forward
transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
RG Gate input resistance
VDS =15V, ID = 30A
VDS =16V, f=1MHz, VGS=0
VDD=10V, ID = 60A
VGS =10V
(see Figure 15)
f=1MHz Gate DC Bias =0
test signal level =20mV
open drain
QOSS(2) Output charge
VDS =16V, VGS =0V
1. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5%
2. Qoss.= Coss * D Vin, Coss = Cgd + Cgd. (see Appendix A)
Min. Typ. Max. Unit
27 S
1400
400
55
pF
pF
pF
24 32 nC
5 nC
3.4 nC
0.5 1.5
3Ω
9.4 nC
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Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/
4페이지 STD70N02L - STD70N02L-1
Electrical characteristics
Figure 7. Gate charge vs gate-source voltage Figure 8. Capacitance variations
Figure 9. Normalized gate threshold voltage Figure 10. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 11. Source-drain diode forward
characteristics
Figure 12. Normalized BVDSS vs temperature
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구 성 | 총 17 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
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