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11N80C3 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 11N80C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 11N80C3 자료 제공

부품번호 11N80C3 기능
기능 SPP11N80C3
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


11N80C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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11N80C3 데이터시트, 핀배열, 회로
SPP11N80C3
SPA11N80C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
VDS
RDS(on)
ID
800 V
0.45
11 A
Periodic avalanche rated
PG-TO220-3-31 PG-TO220
Extreme dv/dt rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
P-TO220-3-31
3
12
PG-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
Type
SPP11N80C3
SPA11N80C3
Package
Ordering Code
PG-TO220 Q67040-S4438
PG-TO220-3-31 SP000216320
Marking
11N80C3
11N80C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed drain current, tp limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID=2.2A, VDD=50V
Avalanche energy, repetitive tAR limited by Tjmax2)
ID=11A, VDD=50V
Avalanche current, repetitive tAR limited by Tjmax
Gate source voltage
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation, TC = 25°C
Operating and storage temperature
ID
ID puls
EAS
EAR
IAR
VGS
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Value
SPP
SPA
11 111)
7.1 7.11)
33 33
470 470
Unit
A
A
mJ
0.2 0.2
11 11
±20 ±20
±30 ±30
156 41
-55...+150
A
V
W
°C
Rev. 2.4
Page 1
2005-08-24
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/




11N80C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SPP11N80C3
SPA11N80C3
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol Conditions
Inverse diode continuous
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Peak rate of fall of reverse
recovery current
IS TC=25°C
ISM
VSD
trr
Qrr
Irrm
dirr/dt
VGS=0V, IF=IS
VR=640V, IF=IS ,
diF/dt=100A/µs
Tj=25°C
min.
-
Values
typ. max.
- 11
Unit
A
- - 33
- 1 1.2 V
- 550 - ns
- 10 - µC
- 33 - A
- 1000 - A/µs
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol
Value
Unit Symbol
SPP
SPA
Rth1
Rth2
Rth3
Rth4
Rth5
Rth6
0.012
0.023
0.043
0.154
0.175
0.071
0.012
0.023
0.043
0.176
0.371
2.522
K/W
Cth1
Cth2
Cth3
Cth4
Cth5
Cth6
Value
SPP
SPA
0.0002493 0.0002493
0.0009399 0.0009399
0.001298 0.001298
0.003617 0.003617
0.009186 0.00802
0.074
0.412
Unit
Ws/K
Ptot (t)
Tj Rth1
C th1
C th 2
R th,n
Tcase External Heatsink
C th,n
Tamb
Rev. 2.4
Page 4
2005-08-24
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4페이지










11N80C3 전자부품, 판매, 대치품
9 Typ. drain-source on resistance
RDS(on)=f(ID)
parameter: Tj=150°C, VGS
3
4V
2.6 4.5V
2.4 5V
2.2
5.5V
2
1.8
6V
1.6
6.5V
1.4
1.2 20V
1
0.80 2 4 6 8 10 12 14 A 18
ID
11 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 10 µs
35
A 25°C
SPP11N80C3
SPA11N80C3
10 Drain-source on-state resistance
RDS(on) = f (Tj)
parameter : ID = 7.1 A, VGS = 10 V
2.6 SPP11N80C3
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6 98%
0.4 typ
0.2
0-60 -20 20 60 100
12 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 11 A pulsed
16 SPP11N80C3
V
°C 180
Tj
25
20
15 150°C
10
5
12
10
8
6
4
2
00 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20
VGS
Rev. 2.4
Page 7
00
0,2 VDS max
0,8 VDS max
20 40 60 80 nC 110
QGate
2005-08-24
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