Datasheet.kr   

4435GM-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 4435GM-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4435GM-HF 자료 제공

부품번호 4435GM-HF 기능
기능 AP4435GM-HF
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


4435GM-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

4435GM-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP4435GM-HF
Halogen-Free Product
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
RoHS Compliant
Description
D
D
D
D
SO-8
G
S
S
S
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
-30V
20mΩ
-9A
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Rthj-a
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Rating
- 30
+ 20
-9
-7.3
-50
2.5
0.02
-55 to 150
-55 to 150
Value
50
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
Data and specifications subject to change without notice
1
200811216
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/




4435GM-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP4435GM-HF
12
10
I D = -7A
V DS = -24V
8
6
4
2
0
0 10 20 30
Q G , Total Gate Charge (nC)
40
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100.00
10.00
100us
1ms
1.00
10ms
100ms
1s0.10
T A =25 o C
Single Pulse
DC
0.01
0.01
0.1 1 10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
40
V DS = -5V
T j =25 o C
T j =150 o C
30
20
10
0
012345
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
6
f=1.0MHz
10000
C1000 iss
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 125/W
0.01
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
t , Pulse Width (s)
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
-4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Circuit
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ 4435GM-HF.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
4435GM-HF

AP4435GM-HF

Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵