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4NF20L 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 4NF20L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4NF20L 자료 제공

부품번호 4NF20L 기능
기능 STN4NF20L
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


4NF20L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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4NF20L 데이터시트, 핀배열, 회로
STN4NF20L
N-channel 200 V, 1.1 Ω, 1 A SOT-223
low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
Features
Order code
STN4NF20L
VDSS
200 V
RDS(on)
max.
< 1.5 Ω
100% avalanche tested
Low gate charge
Exceptional dv/dt capability
ID
1A
Application
Switching applications
Description
This N-channel 200 V realized with
STMicroelectronics unique STripFET™ process
has specifically been designed to minimize input
capacitance and gate charge. It is therefore
suitable as primary switch in advanced high
efficiency isolated DC-DC converters.
2
3
2
1
SOT-223
Figure 1. Internal schematic diagram
$
'
Table 1. Device summary
Order code
STN4NF20L
Marking
4NF20L
3
!-V
Package
SOT-223
Packaging
Tape and reel
October 2010
Doc ID 17445 Rev 2
1/12
www.st.com
12
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/




4NF20L pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STN4NF20L
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)
Table 5. On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
V(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
ID = 1 mA, VGS = 0
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Zero gate voltage
VDS = Max rating
drain current (VGS = 0) VDS = Max rating, TC=125 °C
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ± 20 V, VDS=0
Gate threshold voltage VGS = VDS, ID = 250 µA
Static drain-source on VGS = 10 V, ID = 0.5 A
resistance
VGS = 5 V, ID = 0.5 A
Min. Typ. Max. Unit
200 V
1 µA
50 µA
± 100 nA
1 2 3V
1.1 1.5 Ω
1.13 1.55 Ω
Table 6. Dynamic
Symbol
Parameter
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Instrinsic gate
resistance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Test conditions
VDS = 25 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
f=1 MHz open drain
VDD = 160 V, ID = 1 A,
VGS = 10 V
(see Figure 13)
Min. Typ. Max. Unit
150 pF
- 30 - pF
4 pF
- 5.5 - Ω
0.9 nC
- 2.6 - nC
6.9 nC
Table 7.
Symbol
Switching times
Parameter
td(v)
tr
tf
tc(off)
Voltage delay time
Voltage rise time
Current fall time
Crossing time
Test conditions
VDD = 100 V, ID = 0.5 A,
RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V
(see Figure 12)
Min.
-
Typ.
3.6
2
10.4
15.4
Max Unit
ns
ns
-
ns
ns
4/12 Doc ID 17445 Rev 2
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

4페이지










4NF20L 전자부품, 판매, 대치품
STN4NF20L
Electrical characteristics
Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations
VGS
(V)
12
VDS
10
8
6
4
VDD=160V
ID=1A
AM08190v1
VGS
500
400
300
200
C
(pF)
300
200
100
AM08191v1
Ciss
2 100
00
0 1 2 3 4 5 6 7 8 Qg(nC)
Coss
0 Crss
0 10 20 30 40 50 60 VDS(V)
Figure 10. Normalized gate threshold voltage Figure 11. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
VGS(th)
(norm)
1.10
AM08192v1
RDS(on)
(norm)
2.1
AM08193v1
1.9
1.00
1.7
1.5
0.90
1.3
1.1
0.80
0.70
-50 -25 0 25 50 75 100 TJ(°C)
0.9
0.7
0.5
-50 -25
0
25 50 75 100 TJ(°C)
Doc ID 17445 Rev 2
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