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04N50Z 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 04N50Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 04N50Z 자료 제공

부품번호 04N50Z 기능
기능 NSS04N50Z
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


04N50Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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04N50Z 데이터시트, 핀배열, 회로
NDP04N50Z, NDD04N50Z
N-Channel Power MOSFET
500 V, 2.7 W
Features
Low ON Resistance
Low Gate Charge
100% Avalanche Tested
These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol NDP NDD Unit
DraintoSource Voltage
Continuous Drain Current RqJC
Continuous Drain Current
RqJC, TA = 100°C
Pulsed Drain Current, VGS @ 10 V
Power Dissipation RqJC
GatetoSource Voltage
Single Pulse Avalanche Energy,
ID = 3.4 A
ESD (HBM) (JESD22A114)
Peak Diode Recovery
VDSS
ID
ID
IDM
PD
VGS
EAS
Vesd
dv/dt
500
3.4 3.0
2.1 1.9
V
A
A
14 12
75 61
±30
120
A
W
V
mJ
2800
4.5 (Note 1)
V
V/ns
Continuous Source Current
(Body Diode)
IS 3.4 A
Maximum Temperature for Soldering
Leads
TL
260 °C
Operating Junction and
Storage Temperature Range
TJ, Tstg
55 to 150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. ID v 3.4 A, di/dt 200 A/ms, VDD BVDSS, TJ 150°C.
http://onsemi.com
VDSS
500 V
RDS(on) (MAX) @ 1.5 A
2.7 W
NChannel
D (2)
G (1)
S (3)
1 23
TO220AB
CASE 221A
STYLE 5
4
4
1 23
IPAK
CASE 369D
STYLE 2
12
3
DPAK
CASE 369AA
STYLE 2
MARKING AND ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
July, 2010 Rev. 0
1
Publication Order Number:
NDD04N50Z/D
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/




04N50Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
NDP04N50Z, NDD04N50Z
10.0
1.0 TJ = 150°C
TJ = 125°C
0.1
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.01
Coss
Ciss
Crss
TJ = 25°C
VGS = 0 V
f = 1 MHz
0.1 1
10
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
100
12
10
8 QGD
6
VDS
QT
QGS
300
VGS 250
200
150
4 100
VDS = 250 V
2
ID = 3.4 A
50
TJ = 25°C
00
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. GatetoSource Voltage and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
1000
100
VDD = 250 V
ID = 3.4 A
VGS = 10 V
10
ttttddrf ((oofnf))
1
1 10 100
RG, GATE RESISTANCE (W)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
10.0
TJ = 150°C
1.0
125°C
25°C
55°C
0.1
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
1.2
http://onsemi.com
4
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

4페이지










04N50Z 전자부품, 판매, 대치품
NDP04N50Z, NDD04N50Z
PACKAGE DIMENSIONS
BF
Q
H
Z
4
1 23
A
K
L
V
G
N
D
TO220
CASE 221A09
ISSUE AF
T
SEATING
PLANE
C
TS
U
R
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
INCHES
DIM MIN MAX
A 0.570 0.620
B 0.380 0.405
C 0.160 0.190
D 0.025 0.035
F 0.142 0.161
G 0.095 0.105
H 0.110 0.155
J 0.014 0.025
K 0.500 0.562
L 0.045 0.060
N 0.190 0.210
Q 0.100 0.120
R 0.080 0.110
S 0.045 0.055
T 0.235 0.255
U 0.000 0.050
V 0.045 ---
Z --- 0.080
STYLE 5:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
MILLIMETERS
MIN MAX
14.48 15.75
9.66 10.28
4.07 4.82
0.64 0.88
3.61 4.09
2.42 2.66
2.80 3.93
0.36 0.64
12.70 14.27
1.15 1.52
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ---
--- 2.04
http://onsemi.com
7
Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

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