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N3PF06 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 N3PF06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 N3PF06 자료 제공

부품번호 N3PF06 기능
기능 STN3PF06
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


N3PF06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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N3PF06 데이터시트, 핀배열, 회로
STN3PF06
P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223
STripFET™ II Power MOSFET
Features
Type
STN3PF06
VDSS
60 V
RDS(on)
max
< 0.22
ID
2.5 A
Extremely dv/dt capability
100% avalanche tested
Application oriented characterization
Application
Switching applications
Description
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique “single feature size”
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a
remarkable manufacturing reproducibility.
2
3
2
1
SOT-223
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order code
STN3PF06
Marking
N3PF06
Package
SOT-223
Packaging
Tape and reel
March 2008
Rev 4
1/12
www.st.com
12
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N3PF06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STN3PF06
Note:
(TCASE=25 °C unless otherwise specified)
Table 4. On/off states
Symbol
Parameter
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
IDSS
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
ID(on) On state drain current
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ID = 250 µA, VGS = 0
60
V
VDS = Max rating
VDS = Max rating, TC=125 °C
VDS > ID(on) x RDS(on)max,
VGS =10 V
2.5
1 µA
10 µA
A
VGS = ±20 V
±100 nA
VDS = VGS, ID = 250 µA
2
4V
VGS = 10 V, ID = 1.5 A
0.20 0.22
Table 5. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
gfs
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Forward transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
VDS > ID(on) x RDS(on)max,
ID= 1.25 A
VDS = 25 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
ID = 12 A, VDD = 48 V,
VGS = 10 V
(see Figure 14)
1.5 S
850 pF
230 pF
75 pF
16 21 nC
4 nC
6 nC
For the p-channel Power MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed
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N3PF06 전자부품, 판매, 대치품
STN3PF06
Electrical characteristics
Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations
Figure 10. Normalized gate threshold voltage Figure 11. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 12. Source-drain diode forward
characteristics
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