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MWI100-12E8 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 MWI100-12E8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MWI100-12E8 자료 제공

부품번호 MWI100-12E8 기능
기능 IGBT Modules
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


MWI100-12E8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MWI100-12E8 데이터시트, 핀배열, 회로
MWI 100-12 E8
MKI 100-12 E8
IGBT Modules
Sixpack, H Bridge
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
IC25 = 165 A
V
CES
= 1200 V
VCE(sat) typ. = 2.0 V
IGBTs
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC80
ICM
VCEK
t
SC
Ptot
Symbol
VCE(sat)
V
GE(th)
ICES
IGES
t
d(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Cies
QGon
R
thJC
13, 21
1
2
3
4
14, 20
59
6 10
7 11
8 12
MWI
13, 21
1
19 2
17
15
3
4
14, 20
9
10
19
15
11
12
MKI
Conditions
Maximum Ratings
TVJ = 25°C to 150°C
1200
± 20
V
V
TC = 25°C
TC = 80°C
VGE = ±15 V; RG = 12 ; TVJ = 125°C
RBSOA; clamped inductive load; L = 100 µH
V
CE
=
900
V;
VGE
=
±15
V;
R
G
=
12
;
TVJ
=
125°C
SCSOA; non-repetitive
165
115
200
VCES
10
A
A
A
µs
TC = 25°C
640 W
Conditions
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IC = 100 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I = 4 mA; V = V
C GE CE
VCE = VCES;
VGE = 0 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
VCE = 0 V; VGE = ± 20 V
Inductive load, TVJ = 125°C
VCE = 600 V; IC = 100 A
VGE = ±15 V; RG = 12
2.0 2.5 V
2.3 V
4.5 6.5 V
1.4 mA
1.4 mA
400 nA
330 ns
15 ns
750 ns
45 ns
12 mJ
10 mJ
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 150 A
(per IGBT)
7.4 nF
0.76 µC
0.19 K/W
Features
• NPT3 IGBTs
- low saturation voltage
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance also in resonant circuits
• HiPerFREDTM diode:
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
• Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated copper base plate
Typical Applications
• MWI
- AC drives
- power supplies with power factor
correction
• MKI
- motor control
. DC motor amature winding
. DC motor excitation winding
. synchronous motor excitation winding
- supply of transformer primary winding
. power supplies
. welding
. X-ray
. battery charger
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1-4
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MWI100-12E8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
40
mJ
30
Eon
20
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 12
TVJ = 125°C
400
td(on) ns
300
t
200
10 100
Eon
0
0
Fig. 7
tr
0
50 100 150 A 200
IC
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
16
mJ
Eon 12
400
ns
td(on) 300
t
8 Eon
4
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
IC = 100 A
TVJ = 125°C
200
100
tr
00
0 5 10 15 20
RG
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
250
A
200
ICM
150
100
50
RG = 12
TVJ = 125°C
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 V
VCE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
MWI 100-12 E8
MKI 100-12 E8
20
mJ
16
Eoff
12
8
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 12
TVJ = 125°C
1000
ns
800
td(off)
t
600
400
4
Eoff
0
0
Fig. 8
200
tf
0
50 100 150 A 200
IC
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
16
mJ
Eoff 12
td(off)
1000
ns
750
t
Eoff
8
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
4 IC = 100 A
TVJ = 125°C
0
0 5 10 15
RG
500
250
tf
0
20
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
1
K/W
0.1
ZthJC
0.01
diode
IGBT
0.001
single pulse
0.0001
0.0001 0.001 0.01
0.1
MWI100-12E8
1
t
s 10
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
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4-4
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