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CS6N60F 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 CS6N60F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CS6N60F 자료 제공

부품번호 CS6N60F 기능
기능 VDMOS
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


CS6N60F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CS6N60F 데이터시트, 핀배열, 회로
华晶分立器件
CS6N60(F)
CS6N60(F)VDMOS 晶体管
1.概述与特点
CS6N60(F)N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管,主要用于电源适配器、充电器等各种功率开关
电路。
具有如下特点:
开关速度快
通态电阻小
可并联使用
驱动简单
封装形式:
产品名称
CS6N60
CS6N60F
封装形式
TO-220
TO-220F
VDSS
600V
RDS(ON)MAX
1.35
ID
6A
2.电特性
2.1 极限值(除非另有规定,TC=25℃)
参数名称
符号
CS6N60
CS6N60F
单位
漏源反向电压
VDSS
600
V
漏极电流(连续)
漏极电流(脉冲)
ID 6
IDM 24
A
栅源反向电压
VGS ±30
V
单脉冲能量
EAS 320 mJ
热阻(结到壳)
热阻(结到环境)
RθJC
RθJA
1.0 3.1
62.5 62.5
℃/W
耗散功率
PD 125 40
W
最高结温
贮存温度
TJ
TSTG
150
-55150
2.2 电参数(除非另有规定,TC=25℃)
2.2.1 截止特性
参数名称
符号
测试条件
规范值
最小 典型 最大
单位
漏源反向电压
反向电压的温度系数
漏源截止电流
栅源截止电流
BVDSS
BVDSS/TJ
IDSS
IGSS
VGS=0V, ID=250µA
ID = 250µA
VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25
VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125
VGS = ±30V
600
V
0.7 V/
25
250 µA
±100 nA
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CS6N60F pdf, 반도체, 판매, 대치품
华晶分立器件
CS6N60(F)
图五 结到管壳热阻
图六 最大峰值电流
tp(s)
tp(s)
4页共6
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