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부품번호 | K365 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK365 | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK365
For Audio Amplifier, Analog-Switch, Constant Current
and Impedance Converter Applications
2SK365
Unit: mm
· High breakdown voltage: VGDS = −50 V
· High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = −30 V)
· Low RDS (ON): RDS (ON) = 80 Ω (typ.) (IDSS = 5 mA)
· Small package
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Gate-drain voltage
Gate current
Drain power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VGDS
IG
PD
Tj
Tstg
Rating
-50
10
200
125
-55~125
Unit
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-4E1C
Weight: 0.13 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min Typ. Max Unit
Gate cut-off current
Gate-drain breakdown voltage
Drain current
Gate-source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Reverse transfer capacitance
Drain-source ON resistance
IGSS
V (BR) GDS
VGS = -30 V, VDS = 0
VDS = 0, IG = -100 mA
¾
-50
IDSS
(Note 1)
VDS = 10 V, VGS = 0
1.2
VGS (OFF)
ïYfsï
Ciss
VDS = 10 V, ID = 0.1 mA
-0.25
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 kHz (Note 2) 5.0
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
¾
Crss
RDS (ON)
VDG = 10 V, ID = 0, f = 1 MHz
VDS = 10 mV, VGS = 0
(Note 2)
¾
¾
¾
¾
¾
¾
19
13
3
80
-1.0
¾
14
-1.5
¾
¾
¾
¾
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
W
Note 1: IDSS classification Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA, BL: 6~14 mA
Note 2: Condition of the typical value IDSS = 5 mA
1 2003-03-26
2SK365
4 2003-03-26
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
K360 | LOW LEVEL ZENER DIODES VERY LOW VOLTAGE/ LOW LEAKAGE | Knox Inc |
K3601GL | Standard Bidirectional SIDAC | Littelfuse |
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