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BU102S PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BU102S
기능 NPN Transistor
제조업체 PENGAI
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BU102S 데이터시트, 핀배열, 회로
深圳市鹏爱半导体有限公司
SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
BU102S
主要用途:
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
主要特点:
耐压高、开关速度快、安全工作区大、输出特性好、电流容量大。
封装形式:
TO-92
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
NPN
极限值TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高工作温度
贮存温度
电特性TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-发射极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
存储时间
特征频率
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Icm
Pcm
Tj
Tstg
额定值
480
650
9
0.8
12
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Ice0
Icb0
Ieb0
Hfe
Vcesat
Ts
fT
测试条件
IC=1mA IB=0
Ic=1mA IE=0
IE=1mA IC=0
Vce=400V IB=0
Vcb=630V IE=0
Veb=7V Ic=0
Vce=5V Ic=0.1A
Vce=5V Ic=1mA
Ic=0.2A Ib=0.1 A
Ic=100mA
Vce=10V Ic=0.1A
f=1MHz
额定值
最小值
最大值
400
650
9
20
10
10
10 35
8
0.6
2.0 3.0
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
uS
MHZ
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