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C3D10060G 데이터시트 PDF




Cree에서 제조한 전자 부품 C3D10060G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 C3D10060G 자료 제공

부품번호 C3D10060G 기능
기능 Silicon Carbide Schottky Diode
제조업체 Cree
로고 Cree 로고


C3D10060G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C3D10060G 데이터시트, 핀배열, 회로
C3D10060G
Silicon Carbide Schottky Diode
Z-Rec® Rectifier
Features
600-Volt Schottky Rectifier
Zero Reverse Recovery Current
Zero Forward Recovery Voltage
High-Frequency Operation
Temperature-Independent Switching Behavior
Extremely Fast Switching
Positive Temperature Coefficient on VF
Benefits
Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers
Essentially No Switching Losses
Higher Efficiency
Reduction of Heat Sink Requirements
Parallel Devices Without Thermal Runaway
Automotive Qualified to AEC-Q101
Applications
Switch Mode Power Supplies
Power Factor Correction
- Typical PFC Pout : 1000W-2000W
Motor Drives
- Typical Power : 3HP-5HP
Package
VRRM = 600 V
IF (TC=135˚C) = 14 A
Qc = 25 nC
TO-263-2
PIN 1
PIN 2
CASE
Part Number
C3D10060G
Package
TO-263-2
Marking
C3D10060
Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value Unit
Test Conditions
Note
VRRM
VRSM
VDC
IF
Repetitive Peak Reverse Voltage
Surge Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Continuous Forward Current
IFRM Repetitive Peak Forward Surge Current
IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Ptot Power Dissipation
TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature
600
600
600
29.5
14
10
67
44
90
71
250
136
59
-55 to
+175
V
V
V
TC=25˚C
A TC=135˚C
TC=152˚C
A
TC=25˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=0.3
TC=110˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=0.3
A
TC=25˚C, tP=10ms, Half Sine Wave, D=0.3
TC=110˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=0.3
A TC=25˚C, tP=10 µs, Pulse
W
TC=25˚C
TC=110˚C
˚C
1 C3D10060G Rev. E
Free Datasheet http://www.nDatasheet.com




C3D10060G pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance
1401.04000
1201.02000
1001.00000
80.08000
60.06000
40.04000
20.02000
0.0000
2255 5500 7755 110000 112255 115500 117755
TC Case Temperature (°C)
Figure 6. Power Derating
Diode Model
Diode Model CSD10060
V fVTfT==VTV+T+IfI*fR*TRT
VRRVTTTT====00..000952..209+48+(++T(T(j(j*TT*JJ-**10..30-2519.*5*.161200*2--331*))01-03)-3)
Note: Tj = Diode Junction Temperature In Degrees Celsius,
valid from 25°C to 175°C
VT RT
4 C3D10060G Rev. E
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