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C4D02120A 데이터시트 PDF




Cree에서 제조한 전자 부품 C4D02120A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 C4D02120A 자료 제공

부품번호 C4D02120A 기능
기능 Silicon Carbide Schottky Diode
제조업체 Cree
로고 Cree 로고


C4D02120A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C4D02120A 데이터시트, 핀배열, 회로
C4D02120A
Silicon Carbide Schottky Diode
Z-Rec® Rectifier
Features
1.2kV Schottky Rectifier
Zero Reverse Recovery Current
High-Frequency Operation
Temperature-Independent Switching
Extremely Fast Switching
Benefits
Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers
Essentially No Switching Losses
Higher Efficiency
Reduction of Heat Sink Requirements
Parallel Devices Without Thermal Runaway
Applications
Switch Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Motor Drives
Package
TO-220-2
PIN 1
PIN 2
Part Number
C4D02120A
VRRM = 1200 V
IF (TC=135˚C) = 6 A
Qc = 12 nC
CASE
Package
TO-220-2
Marking
C4D02120
Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value Unit
Test Conditions
VRRM
VRSM
VR
IF
IFRM
IFSM
IF,Max
Ptot
TJ
Tstg
Repetitive Peak Reverse Voltage
Surge Peak Reverse Voltage
DC Peak Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Repetitive Peak Forward Surge Current
Non-Repetitive Forward Surge Current
Non-Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation
Operating Junction Range
Storage Temperature Range
TO-220 Mounting Torque
1200
V
1300
V
1200
V
10
5
2
13
8.4
19
16.5
200
160
60
26
-55 to
+175
-55 to
+135
1
8.8
A TTTCCC===211536˚55C˚˚CC
A TTCC==2151˚0C˚C, ,tPt=P=1100mms,s,HHalaflfSSinienePuPluslese
A TTCC==2151˚0C˚C, ,tPt=P=1100mms,s,HHalaflfSSinienePuPluslese
A TTCC==2151˚0C˚C, ,tPt=P=1100msm,s,PuPluslese
W TTCC==2151˚0C˚C
˚C
˚C
Nm M3 Screw
lbf-in 6-32 Screw
Note
1 C4D02120A Rev. A
Free Datasheet http://www.nDatasheet.com




C4D02120A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance
6.60
5.50
4.40
3.30
2.20
1.10
0.00
00 220000 440000 660000 880000 11000000
VR ReVveRrse(VVolt)age (V)
Figure 7. Typical Capacitance Stored Energy
11000000
110000
TJ = 25°C
TJ = 110°C
100
11E.E--0055 11E.E--0044 11E.E--0033 11E.E--0022
tpt(ps(s))
Figure 8. Non-repetitive peak forward surge current
versus pulse duration (sinusoidal waveform)
0.5
1 0.3
0.1
100E-3
0.05
0.02
10E-3
0.01
SinglePulse
1E-3
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
T (Sec)
10E-3
Figure 9. Transient Thermal Impedance
100E-3
1
4 C4D02120A Rev. A
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