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C4D30120D 데이터시트 PDF




Cree에서 제조한 전자 부품 C4D30120D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 C4D30120D 자료 제공

부품번호 C4D30120D 기능
기능 Silicon Carbide Schottky Diode
제조업체 Cree
로고 Cree 로고


C4D30120D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C4D30120D 데이터시트, 핀배열, 회로
C4D30120D–Silicon Carbide Schottky Diode
Z-RecRectifier
VRRM =
IF; TC<135˚C
Qc =
1200 V
= 43 A
192 nC
Features
1.2kV Schottky Rectifier
Zero Reverse Recovery Current
High-Frequency Operation
Temperature-Independent Switching
Extremely Fast Swtitching
Package
Benefits
Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers
Essentially No Switching Losses
Higher Efficiency
Reduction of Heat Sink Requirements
Parallel Devices Without Thermal Runaway
TO-247-3
Applications
Switch Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Motor Drives
Part Number
C4D30120D
Package
TO-247-3
Marking
C4D30120
Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value Unit
Test Conditions
Note
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
1200
V
VRSM
VR
Surge Peak Reverse Voltage
DC Peak Reverse Voltage
1300
1200
V
V
IF
Continuous DC Current (Per Leg/Device) 21.5/43
A TC=135˚C, no AC component
IFRM Repetitive Peak Forward Surge Current
68*
44*
A TTCC==2151˚0C˚C, ,tPt=P=1100mms,s,HHalaflfSSinienePuPluslese
IFSM Non-Repetitive Forward Surge Current
130*
117*
A TTCC==2151˚0C˚C, ,tPt=P=1100mms,s,HHalaflfSSinienePuPluslese
Ptot Power Dissipation (Per Leg/Device)
220/440
95/190
W TTCC==2151˚0C˚C
Tc Maximum Case Temperature
135
˚C
TJ Operating Junction Range
Tstg Storage Temperature Range
-55 to
+175
-55 to
+135
˚C
˚C
TO-247 Mounting Torque
** Per Device, * Per Leg
1 Nm M3 Screw
8.8 lbf-in 6-32 Screw
Subject to change without notice.
www.cree.com/power
1
Free Datasheet http://www.nDatasheet.com




C4D30120D pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance (Per Leg )
1
0.1
0.01
0.001
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
T (Sec)
100E-3
Figure 7. Transient Thermal Impedance
1
10
Diode Model
Diode Model CSD04060
Vf T = VVTf+T If=*RVTT + If * RT
VT= 0.965 + (Tj * -1.3*10-3)
RT= 0.096 + (Tj * 1.06*10-3)
VT = 0.97 + (Tj * -2.12*10-3)
RT = 0.031 + (Tj * 3.92*10-4)
VT RT
Note: Tj is diode junction temperature in degrees Celsius
4 C4D30120D Rev. A
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