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C3266 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 C3266은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 C3266 자료 제공

부품번호 C3266 기능
기능 NPN Transistor - 2SC3266
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


C3266 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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C3266 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3266
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
2SC3266
Unit: mm
· Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 2 A)
· Complementary to 2SA1296
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
20
20
6
2
0.5
750
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
V (BR) CEO IC = 10 mA, IB = 0
V (BR) EBO IE = 0.1 mA, IC = 0
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 0.1 A
(Note)
hFE (2)
VCE (sat)
VBE
fT
Cob
VCE = 2 V, IC = 2 A
IC = 2 A, IB = 0.1 A
VCE = 2 V, IC = 0.1 A
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Note: hFE (1) classification Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 350~700
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43
TOSHIBA
2-5F1B
Weight: 0.21 g (typ.)
Min Typ. Max Unit
¾ ¾ 0.1 mA
¾ ¾ 0.1 mA
20 ¾ ¾
V
6 ¾¾ V
120 ¾ 700
75 ¾ ¾
¾ ¾ 0.5 V
¾
¾ 0.85
V
¾ 120 ¾ MHz
¾ 30 ¾ pF
1 2003-03-25





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