|
|
|
부품번호 | C3266 기능 |
|
|
기능 | NPN Transistor - 2SC3266 | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3266
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
2SC3266
Unit: mm
· Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 2 A)
· Complementary to 2SA1296
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
20
20
6
2
0.5
750
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
V (BR) CEO IC = 10 mA, IB = 0
V (BR) EBO IE = 0.1 mA, IC = 0
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 0.1 A
(Note)
hFE (2)
VCE (sat)
VBE
fT
Cob
VCE = 2 V, IC = 2 A
IC = 2 A, IB = 0.1 A
VCE = 2 V, IC = 0.1 A
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Note: hFE (1) classification Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 350~700
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43
TOSHIBA
2-5F1B
Weight: 0.21 g (typ.)
Min Typ. Max Unit
¾ ¾ 0.1 mA
¾ ¾ 0.1 mA
20 ¾ ¾
V
6 ¾¾ V
120 ¾ 700
75 ¾ ¾
¾ ¾ 0.5 V
¾
¾ 0.85
V
¾ 120 ¾ MHz
¾ 30 ¾ pF
1 2003-03-25
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ C3266.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
C3263 | NPN Transistor - 2SC3263 | Sanken electric |
C3265 | NPN Transistor - 2SC3265 | Toshiba Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |