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PDF XN1358 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | XN1358 | |
| Descripción | Switching power converter ICs | |
| Fabricantes | Innuovo | |
| Logotipo |  |
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XN1358开关电源转换器集成电路
概述
XN1358 开关电源转换器集成电路
XN1358 是一款开关电源转换器芯片，其内部集成
了一颗高集成度、高性能的电流模式 PWM 控制器
和一颗功率 MOSFET。它适用于小于 27W 的开关
电源设备。
为了降低待机功耗，满足更高的绿色环保标准，芯
片提供了脉冲模式（Burst Mode）功能、极低的启
动电流和工作电流。脉冲模式即在轻载或者无负载
情况下，XN1358 可以线性地降低芯片的开关频率，
因此减少开关的损耗；同时通过优化设计，XN1358
具有极低的启动电流和工作电流，不仅有利于启动
电路设计，而且启动电路中可以使用大阻值的启动
电阻，以降低功耗，提高功率转换效率。
XN1358 内置的同步斜坡补偿电路，防止 PWM 控
制器在高占空比工作时候可能产生的谐波振荡。
XN1358 在电流采样输入引脚端内置了前沿消隐功
能，能有效去除电流反馈信号中的毛刺。有助于减
少外部元器件数量，降低系统的整体成本。
XN1358 提供了多种全面的可恢复保护模式，其中
包括：逐周期电流限制保护（OCP）、过载保护
（OLP）、VDD 电压的过压嵌位、以及低压关闭
（UVLO）。其中，为了更好的保护内置高压功
率 MOSFET 功率管，栅极驱动输出电压被嵌位
在 18V。
XN1358在图腾柱栅极驱动输出端使用了频率抖
动技术和软开关控制技术，可以很好的改善开关
电源系统的EMI性能。通过优化设计，当芯片的
工作频率低于20KHz的情况下，音频能量可以降低
到最小值。因此，音频噪声性能可以获得很大的改
善。
XN1358芯片可以作为线性电源或者RCC模式电源
的最佳替代产品，从而提高开关电源系统的整体性
能，并有效地降低系统成本。
XN1358 提供 8-Pin 的 DIP8 封装。
特点
Burst Mode 功能
低启动电流（4uA）
低工作电流（1.4mA）
内置前沿消隐
内置同步斜坡补偿
电流模式工作
外部可编程的 PWM 开关频率
逐周期电流限制保护（OCP）
VDD 过压嵌位保护
低电压关闭功能（UVLO）
栅驱动输出电压嵌位（18V）
频率抖动功能
恒定输出功率限制
过载保护（OLP）
工作时不产生音频噪声
内置高压 power MOSFET
应用
通用的开关电源设备以及离线 AC/DC 反激式电源
转换器：
电源适配器
机顶盒电源
开放式开关电源
电池充电器
◎西安英洛华微电子有限公司
DS.XN1358V1.0
第1页
2009 年 11 月
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XN1358开关电源转换器集成电路
I_VDD_ST Start up current
VDD=13V,RI=100K
4 20 uA
I_VDD_OP Operation Current
VDD_Clamp VDD Zener Clamp Voltage
VDD=16V,RI=100K,VFB=3V
IVDD=10mA
1.4 2.4 mA
33 V
Feedback Input Section
VFB_Open
VFB Open Loop Voltage
IFB_Short
FB Pin Short Current
VTH_PL
Power limiting FB Threshold
TD_PL
Power limiting Debounce
ZFB_IN
Input Impedance
Max_Duty
Maximum duty cycle
FB Shorted to GND
4.5 4.9 5.5 V
0.8 mA
3.65 V
47 ms
6 kΩ
75 %
Current Sense Section
TLEB
Leading edge Blanking Time
330 ns
Zsense
TD_OC
TTH_OC
Input impedance
OCP control delay
OCP threshold
FB＝3V
40 kΩ
120 ns
0.70 0.75 0.80 V
Oscillator Section
Fosc Frequency
Oscillation
@RI=100K,CS=0,FB=3V
60 65 70 khz
Fosc_BM
Burst mode frequency
Oscillation
@RI=100K,CS=0,FB=1.1V
22
khz
∆f_temp
Frequency variation versus
TEMP = -20 to 85℃
temp. Deviation
5%
∆f_VDD
Frequency variation versus
VDD = 12 to 25V
VDD
5%
V_RI_Open RI open Load Voltage
2V
RI_range
50 100 150 kΩ
Mosfet Section
BVdss
MOSFET
Drain-Source
breakdown voltage
600 V
Static Drain to Source on
Ron
resistance
5Ω
◎西安英洛华微电子有限公司
DS.XN1358V1.0
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2009 年 11 月
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 Analog Devices |
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