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54N06T 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 54N06T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 54N06T 자료 제공

부품번호 54N06T 기능
기능 PHP54N06T
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


54N06T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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54N06T 데이터시트, 핀배열, 회로
PHP54N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 14 February 2001
Product specification
M3D307
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS™1 technology.
Product availability:
PHP54N06T in SOT78 (TO-220AB).
2. Features
s Low on-state resistance
s 175 °C rated.
3. Applications
s DC to DC converters
s Switched mode power supplies.
c
4. Pinningc information
Table 1: Pinning - SOT78, simplified outline and symbol
Pin Description
Simplified outline
1 gate (g)
2 drain (d)
mb
3 source (s)
mb mounting base;
connected to drain (d)
MBK106
123
SOT78 (TO-220AB)
Symbol
d
g
MBB076
s
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
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54N06T pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PHP54N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
7. Thermal characteristics
Table 4: Thermal characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Rth(j-a)
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to ambient vertical in still air
thermal resistance from junction to mounting Figure 4
base
7.1 Transient thermal impedance
Value
60
1.2
Unit
K/W
K/W
10
Zth(j-mb)
(K/W)
1 δ = 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
Single Shot
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
03nc67
P
δ
=
tp
T
10-2
tp
T
t
10-1 tp (s)
1
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
9397 750 08022
Product specification
Rev. 01 — 14 February 2001
© Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
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54N06T 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PHP54N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
03aa32
5
4.5
VGS(th)
(V) 4
3.5
max.
3
typ.
2.5
2 min
1.5
1
0.5
0
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj (oC)
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
10-1
ID
(A) 10-2
03aa35
10-3
10-4
min typ
max
10-5
10-6
012345
VGS (V)
Tj = 25 °C; VDS = VGS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
25
gfs
(S)
20
03nc60
15
10
5
0
0 20 40 60 80
ID (A)
Tj = 25 °C; VDS = 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
2500
Ciss,
Coss,
Crss 2000
(pF)
1500
03nc65
Ciss
1000
Coss
500
0
10-2
10-1
Crss
1 10 102
VDS (V)
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
9397 750 08022
Product specification
Rev. 01 — 14 February 2001
© Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
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